MOS管等效模型圖文解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-05
MOS管相比于三極管，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計，哪怕是小功率MOS管，也會導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復(fù)雜。本文把經(jīng)驗總結(jié)一番，形成理論模型。
等效模型：MOS管等效電路及應(yīng)用電路如下圖所示：
把MOS管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：
我們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個反相器，也可以理解為一個反相工作的運放，如下圖：
有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當(dāng)輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯；
但是當(dāng)開關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比如310V下，通過Cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振蕩，這個振蕩叫米勒振蕩。
所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩：
等效模型：因為MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個電容足夠大，并且前段信號變化快，后端供電電壓高，三者結(jié)合起來，就會引起積分過充振蕩；
這個等價于溫控的PID中的I模型，要想解決解決這個米勒振蕩，在頻率和電壓不變的情況下，一般可以提高M(jìn)OS管的驅(qū)動電阻，減緩開關(guān)的邊沿速度，其次比較有效的方式是增加Cgs電容。
在條件允許的情況下，可以在Cds之間并上低內(nèi)阻抗沖擊的小電容，或者用RC電路來做吸收電路。
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