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2N65H 2.0A/650V MOS管中文資料及封裝-原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-12-24 

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MOS管 2N65H產(chǎn)品描述

此功率MOSFET是采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產(chǎn)的。這先進的技術已經(jīng)專門針對最小化通態(tài)電阻,提供了優(yōu)越的開關性能好,在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。這些適用于高效率開關電源,有功功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。

MOS管2N65H特征

RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V

低門電荷(典型的6.5nC)

高韌性

快速切換

100%雪崩試驗

改進的dv/dt能力

MOS管2N65H產(chǎn)品封裝引腳圖

MOS管,2N65H,2.0A/650V/

MOS管2N65H產(chǎn)品主要參數(shù)

型號:KIA2N65H

電流:2.0A

電壓:650V

漏源極電壓:650V

漏電流脈沖:7.5A

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能:100MJ

重復雪崩能:4.2MJ

峰值二極管恢復:4.5V/ns

MOS管2N65H電路特征

MOS管,2N65H,2.0A/650V

MOS管,2N65H,2.0A/650V

MOS管2N65H規(guī)格書

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MOS管,2N65H,2.0A/650V



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