原廠供應KNX3306B替代HY1607 80A/60V MOS管 價格合理-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-27
KNX3306B可替代后羿的HY1607，KIA半導體場效應管有著雪崩沖擊低、低內阻等技術優(yōu)勢。
KIA半導體也一直執(zhí)行全面質量管理體系，是將所有產品質量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品，在相關環(huán)節(jié)的質量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產品是安全可靠的。下文將描述KNX3306B產品附件及主要參數詳情。
1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V
2、無鉛綠色設備
3、低電阻開關，減少導電損耗
4、高雪崩電流
產品型號：KNX3306A
工作方式：80A/60V
漏源極電壓:60V
柵源電壓；±25V
雪崩能量：462.25MJ
接頭和儲存溫度范圍 ：-55℃至+175℃
查看詳情，請點擊下圖。
聯系方式：鄒先生
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