大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介

在了解大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之前，我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)，它主要有兩種類(lèi)型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。

大電流場(chǎng)效應(yīng)管的作用

1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

大電流場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用

1、交流/直流電源的同步整流

2、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)

3、逆變器

4、電池充電器和電池保護(hù)電路

5、36V-96V系統(tǒng)中的馬達(dá)控制

6、隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器

7、不間斷電源

大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)

以下為KIA半導(dǎo)體大電流場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)（部分），需咨詢更多型號(hào)請(qǐng)聯(lián)系我們,我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

KIA半導(dǎo)體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA半導(dǎo)體也執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始，一直貫徹到客戶使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。

大電流場(chǎng)效應(yīng)管擴(kuò)展知識(shí)

由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單?？墒遣⒙?lián)連接MOSFET用于高速開(kāi)關(guān)則末必簡(jiǎn)單，從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會(huì)發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題：

1） 電流會(huì)集中某一個(gè)器件中。

2 ） 寄生振蕩。

并聯(lián)連接方面的問(wèn)題

參數(shù)

Lo：柵、導(dǎo)線電感

LD：漏、導(dǎo)線電感

LS：源、導(dǎo)線電感

Cmi：密勒電容

CGS：柵、源間電源

ra：柵、電阻（多晶硅）

（1）電流會(huì)集到某一個(gè)器件中

這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個(gè)器件早于或遲于其它器件導(dǎo)通或斷開(kāi)而引起的。導(dǎo)通、斷開(kāi)的時(shí)刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導(dǎo)納等參數(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時(shí)發(fā)生電流不平衡的一個(gè)比如。

驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗大的時(shí)候，電流不平衡的發(fā)生時(shí)刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯(lián)連接的全部器件導(dǎo)通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。

( 2 ） 寄生振蕩

如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接，就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示，經(jīng)過(guò)各個(gè)器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線電感構(gòu)成諧振電路 。關(guān)于這個(gè)諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對(duì)電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡(jiǎn)單發(fā)生寄生振蕩。

從以下兩個(gè)方面采取辦法 ：

1)器材的挑選

2)裝置上的考慮

并聯(lián)連接及辦法

( 1） 把功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)器件時(shí)，無(wú)須過(guò)于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線性電路時(shí)，只挑選同一批產(chǎn)品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．

( 2 ）裝置辦法

選用低電感布線是當(dāng)然的，但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點(diǎn)，并聯(lián)連接的各個(gè)器件應(yīng)是徹底持平的布線，應(yīng)如圖3那樣用對(duì)稱(chēng)的布線 ，但因裝置上的約束，不行能用對(duì)稱(chēng)布錢(qián)時(shí)，這時(shí)同軸的（多股絞合線、帶狀線 ） 布線也是很有用的。如圖4那樣，經(jīng)過(guò)薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。

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