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國產(chǎn)MOS管KIA3308A代替HY3008B產(chǎn)品規(guī)格書-國產(chǎn)原廠制造-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-03-11 

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KIA3308A代替HY3008B,國產(chǎn)MOS管

國產(chǎn)MOS管KIA3308A代替HY3008B

下文將會詳細的介紹國產(chǎn)MOS管KIA3308A和HY3008B兩個產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據(jù)客戶應用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案,同時引進多臺國外先進設(shè)備,業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。

強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項,并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA3308A代替HY3008B,國產(chǎn)MOS管

從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!


國產(chǎn)MOS管KIA3308A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供無鉛環(huán)保設(shè)備

降低導電損耗的低RD值

高雪崩電流


國產(chǎn)MOS管KIA3308A應用領(lǐng)域

電力供應

直流變換器


國產(chǎn)MOS管KIA3308A封裝

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國產(chǎn)MOS管KIA3308A主要參數(shù)

型號:KIA3308A

電流:80A

電壓:80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流:340A

雪崩電流:20A

雪崩能源:410MJ


KIA3308A產(chǎn)品規(guī)格書

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KIA3308A代替HY3008B,國產(chǎn)MOS管


KIA3308A代替HY3008B-HY3008B產(chǎn)品主要參數(shù)

電流:100A

電壓:80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

二極管連續(xù)正向電流:100A

漏極擊穿電壓:80V

柵極電阻:1.0?


HY3008B封裝圖

KIA3308A代替HY3008B,國產(chǎn)MOS管


HY3008B產(chǎn)品規(guī)格書

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