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MOS管KIA50N06替代NCE6050規(guī)格書資料 產(chǎn)品優(yōu)質(zhì) 全新原裝-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-15 

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MOS管KIA50N06替代NCE6050

MOS管KIA50N06替代NCE6050參數(shù)

KIA50N06產(chǎn)品描述

MOS管KIA50N06替代NCE6050,文中將會(huì)具體的描述KIA50N06和NCE6050兩個(gè)產(chǎn)品參數(shù)、封裝、附加規(guī)格書等。KIA50n06是三端器件與約50A電流傳導(dǎo)能力,快速開關(guān)速度。低通態(tài)電阻,60V額定擊穿電壓,最大閾值4伏電壓。它主要適用于電子鎮(zhèn)流器和低功率開關(guān)。


KIA50N06產(chǎn)品特征

RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。

超低柵極電荷(典型的30nc)

低反向轉(zhuǎn)移電容

快速切換的能力

100%雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力


KIA50N06產(chǎn)品參數(shù)

漏極至源極電壓:60

柵源電壓:±20

漏極電流 (連續(xù)):50

單脈沖雪崩能量:480

耗散功率:130

工作溫度:-55~+150

輸入電容:VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz

擊穿電壓溫度:0.7

上升時(shí)間:VDD=30V,ID=25A,RG=50Ω(note4,5)


KIA50N06封裝圖

MOS管KIA50N06替代NCE6050



MOS管KIA50N06規(guī)格書詳情

查看規(guī)格書請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


MOS管KIA50N06替代NCE6050


NCE6050主要參數(shù)

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):50A

脈沖漏電流:220A

最大功耗:80W

輸入電容:900PF

輸出電容:104PF

封裝:TO-252、TO-251、TO-220


NCE6050規(guī)格書

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MOS管KIA50N06替代NCE6050



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