500v功放管mos

什么是功放管

KIA半導體供應500v功放管mos，先來看看功放管的分類：A類功放（又稱甲類功放） A類功放輸出級中兩個（或兩組）晶體管永遠處于導電狀態(tài)，也就是說不管有無訊號輸入它們都保持傳導電流，并使這兩個電流等于交流電的峰值，這時交流在最大訊號情況下流入負載。當無訊號時，兩個晶體管各流通等量的電流，因此在輸出中心點上沒有不平衡的電流或電壓，故無電流輸入揚聲器。當訊號趨向正極，線路上方的輸出晶體管容。

功放管參數(shù)

晶體管類型 PNP - Darlington

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 100V

電流 - 集電極 (Ic)（最大） 10A

功率 - 最大 125W

在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） 2V @ 10mA, 5A

電流 - 集電極截止（最大） 2mA

500v功放管mos選型

下面是500v功放管mos的參數(shù)選型表：

500v功放管mos-KIA半導體原廠介紹

500v功放管mos原廠供應商介紹，KIA半導體主營半導體產(chǎn)品豐富，是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結場效應管、碳化硅二極管、碳化硅場效應管、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。

覆蓋領域：工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品及新型領域。

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

mos管的功放優(yōu)缺點
（一）優(yōu)點

1、MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點。以運放的輸出作為OCL 的輸入，到達抑止零點漂移的效果。

2、中音厚，沒有三極管那么大的交越失真。

電流推進級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級電流推進。為了防止電流推進級產(chǎn)生開關失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會產(chǎn)生開關失真，由于任何狀況下電流推進級一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級也一直處于放大區(qū)，因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

（二）缺點

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開關場效應管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點。但運用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無法外電路維護），開關速度進步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速MOSFET大功率開關場效應晶體管。

西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護系統(tǒng)的SPM專利技術，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場上取得了認可，并逐漸在世界上得到了應用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開關場效應管容易被輸出和輸入過載損壞。

2、開啟電壓太高。

3、偏流開很大，還是有一定的交越失真,沒交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來說要好配對一點。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法，把普通三極管功放里的電壓推進三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。

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