mos管并聯(lián)電容的工作原理與方法解析-mos并聯(lián)均流技術-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-28
mos管并聯(lián)電容,并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。
MOS管并聯(lián)方法，為了使并聯(lián)電路中每個MOS管盡可能的均流，在設計并聯(lián)電路時需要考慮如下要素 ：
1、飽和壓降VDs或導通RDSon：對所有并聯(lián)的MOS管而言 ，導通時其管壓降是相同的，其結果必然是飽和電壓小的MOS管先流過較大的電流 ，隨著結溫的升高，管壓降逐漸增大，則流過管壓降大的MOS管的電流又會逐漸增大，從而減輕管壓降小的MOS管的工作壓力。因此，從原理上講，由于N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或導通電阻RDSon具有正的溫度特性 ，是很適合并聯(lián)的。
2、開啟電壓VGS（th）：在同一驅動脈沖作用下 ，開啟電壓VGS（th）的不同，會引起MOS管的開通時刻不同，進而會引起先開通的MOS管首先流過整個回路的電流，如果此時電流偏大,不加以限制 ，則對MOS管的安全工作 造成威脅；
3、開通、關斷延遲時間Td(on)、td(off)；開通上升、關斷下降時間tr、tf:同樣，在同一驅動脈沖作用下，td(on)、td(off)、tr 、tf的不同 ，也會引起MOS管的開通／關斷時刻不同，進而會引起先開通／后關斷的MOS 管流過整個回路的電流，如果此時電流偏大，不加以限制，則同樣對MOS 管的安全工作造成威脅。
4、驅動極回路的驅動輸入電阻、等效輸入 電容、等效輸入電感等，均會造成引起MOS管的開通／關斷時刻不同。從上所述 ，可以看出，只要保證無論在開通、關斷、導通的過程流過MOS管的 電流均使MOS管工作在安全工作區(qū)內，則MOS管的安全工作得到保障。為此，本文提出一種MOS管的新的并聯(lián)方法，著重于均流方面的研究，可有效的保證MOS管工作在安全工作區(qū)內，提高并聯(lián)電路的工作可靠性。
（一）MOS管并聯(lián)方法電路圖
以3只IR公司的IRF2807 MOS管并聯(lián)試驗為例，工作電路圖如圖1 。
（二）MOS管并聯(lián)工作原理
在圖1中，采用對每個并聯(lián)的MOS管單獨實限流技術來限制流過每個MOS管的電流。具體方法如下 ：
在每個MOS管串聯(lián)作電流檢測用的采樣電阻(圖中的RlO、Rll、R12)，實時對流過每個MOS管的電流進行監(jiān)測。3路分流器的采集信號均送人4比較器LM339，作為判斷是否過流的依據(jù)：只要流過任何一個MOS管的電流超過對其所限定的電流保護值，則控制回路依據(jù)送出的過流保護信號馬上 限制驅動脈沖的開度，保證當前流過每個MOS管的電流不超過所限定的電保護值 。
在圖1中,如果在PW Nin驅動脈沖加入后 ，假定MOS1先開通,MOS2、MOS3暫時未開通 ，則電流只能先流過MOS1，而且電流被限制在其限制值以內；接著MOS2又開通，則部分原先流過MOS1的電流會被分流到MOS2 ，必然引起流過MOS1的電流小于其限制值，于是過流信號消失，PW Nin驅動脈沖開度加大 ，直至電流 重新到達MOS1或MOS2的電流限制點后，PW Nin驅動脈沖才會停止增加。以后MOS3導通的又重復上述的電流分配過程 ，直至到達新的電流平衡。同理，可分析MOS管任何時刻單個或多個導通時電流的自行分配過程 。
MOS管并聯(lián)方法均流技術，雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出#FormaTImgID_0#N溝道m(xù)os管符號一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影#FormaTImgID_1#P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
由于MOS管中存在著明顯的電容結構，因此可以用MOS器件制作成一個電容使用。如果一個NMOS管的源、漏、襯底都接地而柵電壓接正電壓，當VG上升并達到Vth時在多晶硅下的襯底表面將開始出現(xiàn)一反型層。在這種條件下NMOS可看成一個二端器件，并且不同的柵壓會產生厚度不一樣的反型層，從而有不同的電容值。
(1)耗盡型區(qū)：柵壓為一很負的值，柵上的負電壓就會把襯底中的空穴吸引到氧化層表面，即構成了積累區(qū)，此時，由于只有積累區(qū)出現(xiàn)，而無反型層，且積累層的厚度很厚，因此積累層的電容可以忽略。故此時的NMOS管可以看成一個單位面積電容為Cox的電容，其中間介質則為柵氧。當VGS上升時，襯底表面的空穴濃度下降，積累層厚度減小，則積累層電容；增大，該電容與柵氧電容相串聯(lián)后使總電容減小，直至VGs趨于0，積累層消失，當VGS略大于o時，在柵氧下產生了耗盡層，總電容最小。
(2)弱反型區(qū)：VGS繼續(xù)上升，則在柵氧下面就產生耗盡層，并開始出現(xiàn)反型層，該器件進入了弱反型區(qū)，在這種模式下，其電容由Cox與Cb串聯(lián)而成，并隨VGS的增人，其電容量逐步增大。
(3)強反型區(qū)：當VGS超過Vth，其二氧化硅表面則保持為一溝道，且其單位電容又為Cox。下圖顯示了這些工作狀態(tài)。
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