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KIA6N70H 5.8A/700V規(guī)格書下載-MOS管原廠供貨 KIA原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-05-28 

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6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V

MOS管 6N70H產(chǎn)品概述

這款功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是KIA半導(dǎo)體專門定制的??梢詼p少?zèng)_擊,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖,這款產(chǎn)品非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正,基于半橋拓?fù)洹?/span>


KIA6N70H產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V

低柵電荷(典型16NC)

高耐用性

快速切換

雪崩測(cè)試100%

提高dv/dt能力


MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V參數(shù)

型號(hào):KIA6N70H

工作方式:5.8A/700V

漏源電壓:700V

脈沖漏電流:20* A

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能量:150MJ

雪崩電流:4.8A

重復(fù)雪崩能量:9.5MJ

峰值二極管恢復(fù)dv/dt:4.5 V/ns

漏源擊穿電壓:700V


MOS管 6N70H產(chǎn)品封裝圖


6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V


MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V規(guī)格書

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6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V



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