KNX3706A 50A/60V N溝道MOS管中文資料、封裝、參數(shù)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-06-04
KIA半導(dǎo)體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用的柵極電荷。KNX3706A滿(mǎn)足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求,100%EAS保證功能的可靠性得到認(rèn)可。
RDS(ON),typ.=9mΩ@VGS=10V
氮?dú)獗Wo(hù)
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應(yīng)衰減
高級(jí)高密度槽技術(shù)
電流:50A
電壓:60V
漏源極電壓:60V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:100A
單脈沖雪崩能:72.2MJ
雪崩電流:38A
接頭和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃至150℃
總功耗:42W
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容:3220pF
輸出電容:210pF
反向轉(zhuǎn)移電容:145pF
連續(xù)源電流:50A
脈沖源電流:100A
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