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NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管參數(shù)、封裝、規(guī)格書詳情-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-07-02 

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NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管參數(shù)、封裝、規(guī)格書詳情

NCE80H16替代MOS管品牌

KIA2808A可替代NCE80H16,KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。


從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!


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KIA2808A產(chǎn)品特征

RDS(on) =4.0毫歐(典型值)@ VGS=10V

100%雪崩測試

可靠、堅固耐用

無鉛和綠色設備可用(符合RoHS標準)


KIA2808A產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA2808A

工作方式:150A/80V

漏源電壓:80V

柵源電壓:±25V

漏電流連續(xù):150A

脈沖漏極電流:660A

雪崩能量:1.1***mJ

耗散功率:178W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:80V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:6109PF

輸出電容:995PF

上升時間:18ns


KIA2808A封裝形式


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KIA2808A產(chǎn)品應用

開關中的應用

逆變電源的電源管理


KIA2808A PDF產(chǎn)品附件

查看詳情請點擊下圖


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NCE80H16產(chǎn)品特征

VDS=80V,ID=160A

RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V

超低RDSON高密度電池設計

穩(wěn)定性好,均勻性好

良好的散熱包裝

高靜電放電性能的特殊工藝技術


MOS管 NCE80H16參數(shù)


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MOS管 NCE80H16封裝尺寸及引腳圖

(一)封裝尺寸


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(二)封裝引腳圖


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MOS管 NCE80H16規(guī)格書

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聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

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