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DTU09N03替代MOS管-MOS管型號(hào)規(guī)格書(shū)下載 封裝 參數(shù)詳情-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-07-08 

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DTU09N03替代MOS管KIA50N03A-MOS管型號(hào)規(guī)格書(shū)下載 封裝 參數(shù)詳情

DTU09N03替代產(chǎn)品

DTU09N03可用KIA50N03A替代,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA半導(dǎo)體研發(fā)人員以來(lái)自韓國(guó)(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì),可以快速根據(jù)客戶(hù)應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設(shè)計(jì)方案,同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。


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從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流,KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標(biāo),KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!


DTU09N03參數(shù)詳情


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DTU09N03封裝引腳圖


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DTU09N03規(guī)格書(shū)

查看及下載規(guī)格書(shū),請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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MOS管50N03產(chǎn)品特征-KIA50N03A

1、先進(jìn)的溝槽處理技術(shù)


2、高密度超低電阻電池的設(shè)計(jì)


3、完全確定雪崩電壓和電流


4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A


5、Vds=30V


6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A


7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A


MOS管50N03產(chǎn)品主要參數(shù)-KIA50N03A

產(chǎn)品型號(hào):KIA50N03A

工作方式:50A/30V

漏源極電壓:30V

柵源電壓:±20V

連續(xù)漏電流:50A

脈沖漏電流 :200A

操作接頭和存儲(chǔ)溫度范圍:-55℃至150℃

結(jié)對(duì)殼熱阻:1.8℃/W

對(duì)周?chē)h(huán)境的電阻:50℃/W


KIA50N03A封裝引腳圖


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA50N03A產(chǎn)品附件

以下為KIA50N03A產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細(xì)資料,查看詳情請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

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