MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 現(xiàn)貨供應(yīng) 原裝正品-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-07-29
KIA2803A可以替代FDD8870，KIA2803A MOS管是KIA半導(dǎo)體品牌，如您有需要或是想了解更多可以查看KIA官網(wǎng)或是致電KIA，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！
下面我們一起來(lái)看看KIA2803A和FDD8870這兩個(gè)型號(hào)的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。
1、RDS（on）=2.2mΩ（類(lèi)型）@VGS=10V
2、低導(dǎo)通電阻
3、100%雪崩試驗(yàn)
4、無(wú)鉛、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品型號(hào)：KIA2803A
工作方式：150A/30V
漏源極電壓:30V
柵源電壓:±20V
連續(xù)漏電流@VGS=10V,TC=25oC:150A
脈沖漏電流測(cè)試TC=25oC:600A
單脈沖雪崩能:625MJ
最大功率消耗TC=25oC:160W
最高溫度:175℃
貯存溫度范圍：-55℃至+175℃
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這種N溝道MOSFET是專(zhuān)門(mén)為提高DC/DC變換器的整體效率同步或常規(guī)開(kāi)關(guān)PWM控制器。它已經(jīng)針對(duì)低柵電荷、低柵電荷進(jìn)行了優(yōu)化。R-DS（開(kāi)）和快速切換速度。
rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A
rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A
高性能溝槽技術(shù)，極低RDS（開(kāi)）
低柵電荷
高功率和電流處理能力
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聯(lián)系方式：鄒先生
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