MOSFET-MOSFET應用參數(shù)圖文詳解-MOSFET應用優(yōu)勢-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-08-07
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。
MOSFET應用參數(shù)理論著重分析,下文會從各個方面來解析MOSFET的應用參數(shù)。MOSFET是開關電源中的重要元器件,也是比較難掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC軟開關的設計中,對于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透徹了,也就應用自如了。
MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結溫,基本原則就是任何情況下,結溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定的。下圖是典型的功率損耗與MOSFET表面結溫(Case temp.)的曲線圖。
一般MOSFET的規(guī)格書里面會定義兩個功率損耗參數(shù),一個是歸算到芯片表面的功率損耗,另一個是歸算到環(huán)境溫度的功率損耗。這兩個參數(shù)可以通過如下兩個公式獲得,重點強調(diào)一點,與功耗溫度曲線密切相關的重要參數(shù)熱阻,是材料和尺寸或者表面積的函數(shù)。隨著結溫的升高,允許的功耗會隨之降低。
根據(jù)最大結溫和熱阻,可以推算出MOSFET可以允許的最大功耗。
歸算到環(huán)境溫度的熱阻是布板,散熱片和散熱面積的函數(shù),如果散熱條件良好,可以極大提升MOSFET的功耗水平。
規(guī)格書中會定義最大持續(xù)漏極電流和最大脈沖電流,如下圖。一般規(guī)格書中最大脈沖電流會定義在最大持續(xù)電流的4倍,并且隨著脈沖寬度的增加,最大脈沖電流會隨之減少,主要原因就是MOSFET的溫度特性。
理想情況下,理論上最大持續(xù)電流只依賴于最大功耗,此時最大持續(xù)電流可以通過功率公式(P=I^2 R)推算出。如下式:
然而實際中,其他條件會限制理論上計算出來的最大持續(xù)電流,比如銅線直徑,芯片工藝與組裝水平等。比如上式中計算的最大持續(xù)電流為169A,但是考慮到其他約束條件,實際只能達到100A。所以制造商的工藝水平某種程度上決定了設計余量,知名廠商往往強項就在于此。下圖就是實際的持續(xù)電流與結溫的關系曲線圖,脈沖電流是由安全工作區(qū)決定的。
安全工作區(qū)可以說是MOSFET最重要的數(shù)據(jù),也是設計者最重要的設計參考。下圖是典型的安全工作區(qū)圖形。
由上圖可知,MOSFET的SOA實際上有5條限制線,這5條限制線決定了SOA的區(qū)域。細節(jié)如下圖:
(1)Rdson限制線
Rdson限制線是Vds和Ids的函數(shù),這天直線的斜率就是MOSFET的最大Rdson(Vgs=10V, Tj=150℃),因此Rdson限制線可以由下式給出:
由上式可知:
因為隨著 Vgs降低Rdson會增加,因此對于較低的Vgs,Rdson限制線會向下移動。
因為Rdson會隨著Tj的降低而增大,因此對于Tj小于150C的情況,Rdson會向上移動。
(2)封裝限制線
當順著Rdson向著更大電壓和電流的方向移動就會到達封裝限制線。不同封裝的MOSFET和工藝水平?jīng)Q定了這條線的水平。封裝限制線并不隨著溫度變化而變化。
(3)最大功率限制線
封裝限制線之后就是最大功率限制線,這條線的規(guī)則就是MOSFET功耗產(chǎn)生的溫升加上25C不能超過MOSFET的最大結溫,比如150C。MOSFET的散熱條件對這條限制線影響很大,因此與溫度相關的變量,比如熱阻,Tc和功耗也就限制了應用。
可以得出:
Ids受限于最大結溫Tj,最大允許溫升是由Tj和Tc之差決定的。
Ids受限于熱阻ZthJC的影響,脈沖情況下的ZthJC是由脈沖長度與占空比決定的。
(4)溫度穩(wěn)定(不穩(wěn)定)限制線
跟隨者最大功率限制線就是溫度不穩(wěn)定限制線,這條限制線是設計者比較容易忽視的限制線。要深入理解此條限制線,需要理解MOSFET溫度不穩(wěn)定的條件是什么。MOSFET溫度達不到穩(wěn)定狀態(tài),意味著隨著溫度的變化,MOSFET產(chǎn)生的功耗快于MOSFET耗散的功耗。也就是如下公式:
在這樣的條件下,MOSFET的溫度達不到穩(wěn)定狀態(tài),進一步分析公式:
通常情況下,Vds可以認為隨著溫度變化基本不變,Ids/T稱為溫度系數(shù)。由于Vds>0, 1/ZthJC(tpulse)>0, 因此如果發(fā)生不穩(wěn)定,也就是上式要成立,有且只有溫度系數(shù)?Ids/?T>0才有可能發(fā)生。但是怎么從MOSFET的規(guī)格書中得到這一信息那?大多數(shù)規(guī)格書中并不會直接給出這個溫度系數(shù)的。但是可以從其他曲線中推導出來。比如規(guī)格書中Ids over Vgs的曲線(不同溫度下)。
舉例說明,如下圖所示,分別畫出了在25C Tj和150C Tj情況下的曲線。由圖中可以看出,Vgs=2.5V下,Ids隨著溫度的增加而增加,也就意味著Vgs=2.5V下,溫度系數(shù)為正。在Vgs=3.5V下,Ids隨著溫度的增加而減小,也就意味著Vgs=3.5V下,溫度系數(shù)為負。25C曲線和150C曲線的交叉點被稱為零溫度系數(shù)點(ZTC),很顯然,只要Vgs小于ZTC交叉點,就會發(fā)生溫度的不穩(wěn)定。
溫度系數(shù)由正溫度系數(shù)變?yōu)樨摐囟认禂?shù)理論上是兩個參數(shù)互相競爭的結果。一方面Rdson隨著溫度的升高而變大,另一方面Vth隨著溫度的升高而減小,在溫度較高的時候,Rdson起主導,因此溫度升高,電流減小。溫度較低的時候,Vth起主導。溫度升高,電流升高。
溫度的不穩(wěn)定區(qū)域發(fā)生在Vgs小于ZTC對應的臨界點,ZTC是MOSFET跨導的函數(shù),MOSFET的跨導越大,ZTC對應的Vgs也越高。而現(xiàn)在的MOSFET的工藝,尤其是CoolMos或者DTMOS,跨導會越來越大,因此對于Vgs的設計也至關重要。
(5)擊穿電壓限制線
SOA的右半面就是擊穿電壓限制線,也就是BVDSS。BVDSS是Tj的函數(shù),這一點要格外注意,尤其在低溫應用的時候,BVDSS會衰減,確保低溫下,電壓應力滿足要求。
熱阻抗由兩部分構成,一部分是熱態(tài)電阻Rth,另一部分是熱態(tài)電容Cth。
RthJC是從芯片的結到達表面的熱阻,這個路徑?jīng)Q定了芯片本身的溫度(功耗、熱阻、Tc)。
ZthJC同時也考慮了Cth無功功率帶來的溫度影響。這個參數(shù)通常用來計算由瞬態(tài)功耗帶來的溫度累加。
MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下與Vds和Vgs的關系。
對于MOSFET工作于開關的應用,應該使得MOSFET工作在“ohmic”區(qū)域,劃分ohmic區(qū)域與飽和區(qū)域的臨界線是由Vds=Vgs-Vgs(th)決定的。
Rds(on)是漏極電流Id的函數(shù),由MOSFET的典型應用曲線以及歐姆定律可以得到:
從曲線可以看出,Vgs對于Rds(on)起著至關重要的作用,對于MOSFET,一定要使得MOSFET徹底開通,不能設計在欠驅動狀態(tài)。一般而言,對于功率型MOSFET,10V的驅動電壓是比較推薦的。
另外Rds(on)也是Tj的函數(shù),一般可用如下公式進行計算:
a是依賴于溝道技術參數(shù),工藝和使用技術定下來,a是常量。比如英飛凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。
跨導反映了漏極電流Id對于Vgs變異的敏感程度。
對于應用MOSFET做自激諧振的線路里面,跨導參數(shù)的大小起著重要的作用。
門檻電壓Vth定義在出現(xiàn)指定的漏極電流下的驅動電壓。MOSFET的量產(chǎn)線上,Vth是在25C溫度下,Vds=Vgs,漏極電流是uA級別下測量的。
門檻電壓會隨著溫度的升高而減小,如下圖所示:
MOSFET的寄生電容由三類,它們分別是門極源極電容,門極漏極電容以及漏極源極電容。這些電容不能直接測量到,它們是通過測量輸入、輸出和反向傳輸電容等參數(shù)然后計算得到。這三類寄生電容之間的關系如下:
這三類電容是漏源電壓(Vds)的函數(shù),它們會隨著Vds的變化而變化,主要原因在于當Vds變化時,溝道的空間大小會隨著改變,因此寄生電容也就隨之改變。
MOSFET都有一個寄生的反向二極管,這個二極管的相關參數(shù)會有MOSFET的規(guī)格書給出,如下:
1、二極管正向持續(xù)電流:最大允許的正向持續(xù)電流,定義在25C,通常這個電流等于MOSFET的最大持續(xù)電流。
2、二極管脈沖電流:最大允許的最大脈沖電流,通常這個電流等于MOSFET的最大脈沖電流。
3、二極管正向壓降:二極管導通時,在規(guī)定的IF下測到的MOSFET源漏極間壓降。
4、反向恢復時間:反向恢復電荷完全移除所需要的時間。
5、反向恢復電荷:二極管導通期間存儲在二極管中的電荷。二極管完全恢復到阻斷狀態(tài)之前需要移除這些存儲的電荷。開關是電流變化的速率越大(di/dt),存儲的反向恢復電荷就越多。
其中反向恢復時間trr是設計LCC,LLC諧振線路拓撲中需要重點看的參數(shù)之一,原因在于基本所有的LCC和LLC諧振線路,在啟動過程中,前幾個周期都會存在二極管反向恢復過程中另一個MOSFET已經(jīng)開通,這個時候就會通過很大的di/dt,如果寄生的反向二極管能力不夠,MOSFET就會擊穿而失效。
另外寄生二極管的正向電流If是源漏電壓Vsd的函數(shù),如下:
脈沖avalanche電流大小Iav與脈沖avalanche時間tav的關系如下圖:
Avalanche 電流于avalache 時間是由MOSFET的最大結溫以及avalanche能量限定的。Avalanche 的脈沖寬度長,允許的avalanche 的電流就越小。
源漏擊穿電壓是Tj的函數(shù),這個特性往往被設計者忽略,尤其產(chǎn)品設計是寬溫的應用情況,需要考慮MOSFET低溫下?lián)舸╇妷旱膁erating。
以下是典型的門極驅動波形:
下表列示了典型的MOSFET規(guī)格書中定義的開關時間:
具體開關時間的定義如下圖:
1、場效應晶體管是電壓控制元件,而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用雙極晶體管。
2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比雙極晶體管好。
3、場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而雙極結型晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。
4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。
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