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開關(guān)電源待機功耗問題該如何解決 圖文深度解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-08-30 

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開關(guān)電源待機功耗問題該如何解決 圖文深度解析

開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。


現(xiàn)在做電源,除了效率以外,空載或者開關(guān)電源待機功耗也變得越來越重要了。這不僅是因為各種各樣的能效標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行,也確實很符合實際應(yīng)用的需求,因為大部分的用電設(shè)備都長期工作在待機狀態(tài)。以離線式的AC/DC電源為例,不同的應(yīng)用要求不一樣,有500mW、300mW、再到100mW,甚至是很多充電器所追求的10mW以下。下面我們就對開關(guān)電源的待機功耗進(jìn)行分析。


(一)輸入部分損耗

1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大

適當(dāng)設(shè)計共模電感,包括線徑和匝數(shù)


2、放電電阻上的損耗

在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織


3、熱敏電阻上的損耗

在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值


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(二)啟動損耗

普通的啟動方法,開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷,此損耗持續(xù)存在。


改善方法:恒流啟動方式啟動,啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。


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(三)與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗


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(四)鉗位電路損耗


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有放電電阻存在,mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗


改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)


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當(dāng)然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。


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(五)供電繞組的損耗

電源芯片是需要一定的電流和電壓進(jìn)行工作的,如果Vcc供電電壓越高損耗越大。


改善方法:由于IC內(nèi)部消耗的電流是不變的,在保證芯片能在安全工作電壓區(qū)間的前提下盡量降低Vcc供電電壓!


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(六)變壓器的損耗

由于待機時有效工作頻率很低,并且一般限流點很小,磁通變化小,磁芯損耗很小,對待機影響不大,但繞組損耗是不可忽略的。


變壓器繞組引起的損耗

繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗(分布電容在開關(guān)MOS管關(guān)斷時充電,在開關(guān)MOS管開通時放電引起的損耗。)


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當(dāng)測試mos管電流波形時,剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。


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改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶,來減少層間分布電容。


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(七)開關(guān)管MOSFET上的損耗

mos損耗包括:導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗,驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。


改善辦法:降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩)


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(八)整流管上的吸收損耗

輸出整流管上的結(jié)電容與整流管的吸收電容在開關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上,引起的開關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。


改善方法:在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值,降低吸收電阻的阻值。


當(dāng)然還有整流管上的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時間短的二極管。


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(九)輸出反饋電路的損耗


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開關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化控制、軍工設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、電力設(shè)備、儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備、半導(dǎo)體制冷制熱、空氣凈化器,電子冰箱,液晶顯示器,LED燈具,通訊設(shè)備,視聽產(chǎn)品,安防監(jiān)控,LED燈帶,電腦機箱,數(shù)碼產(chǎn)品和儀器類等領(lǐng)域。


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