體二極管的 N 型 MOSFET
信息來(lái)源：本站 日期：2017-05-11
MOSFET管的內(nèi)部構(gòu)造中，漏柵源三個(gè)極之間存在一個(gè)固有的寄生二極管，如圖9.18所示。體二極管的極性能夠阻止反向電壓經(jīng)過(guò)MOS管阻T管，其正向電流接受才能和反向額定電壓與MOS目T管的標(biāo)稱值分歧。它的反向恢復(fù)時(shí)間比普通的交流電源整流二極管短，比快’恢復(fù)二極管的長(zhǎng)。消費(fèi)商數(shù)據(jù)表列出了各種MOSFET管的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 。
體二極管的 N 型 MOSFET 體二極管的 P 型 MOSFET圖 9.18 N 型和 P 型 MOS四T 管中的體二極管 。
關(guān)于 N 溝道 MOSFET 管，二極管阻止 負(fù)的漏據(jù)極間電壓 ，關(guān)于 P 溝道 MOSFET 管，二極管阻止正的漏掘極間電壓由于在漏源極之間普通不會(huì)施加反向電壓 （ 關(guān)于 N 型 MOSFET 管，漏極相對(duì)源極為負(fù) ： 關(guān)于 P 型 MOSFET 管，漏極相對(duì)源極極性為正） ，所以這個(gè)寄生二極管對(duì)大局部開關(guān)電源拓?fù)涫菦]有什么影響的 。但有一些狀況下也需求 MOSFET 管接受反壓 ，特別 是在如圖 3.1 和圖3.3所示的半橋和全橋拓?fù)渲?。不過(guò)在這些拓?fù)渲泻?jiǎn)直都有一個(gè)死區(qū)時(shí)間，這個(gè)死區(qū)時(shí)間是從體 二極管導(dǎo)通的時(shí)辰（貯存在變壓器漏感中的能量反應(yīng)到電網(wǎng)時(shí)）到它被施加反向電壓的時(shí)辰。死區(qū)使正向電流和反向電壓之間有延遲，所以MOSFET管的二極管較弱的反 向恢復(fù)特性是沒什么影響的 。但是，假如一個(gè)全新的電路拓?fù)湫枨驧OS因T管承圖9.19當(dāng)必需允許反向電流流過(guò)受反向電壓，則必需在漏極串連一個(gè)阻斷二極管。由于體MOSFET管時(shí)，應(yīng)防止運(yùn)用體二極管。二極管的存在，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路或具有電感負(fù)載的電路可能為阻止電流流經(jīng)體二極管（它的反向恢復(fù)特性不好），要附加阻斷二極管DI串聯(lián)到漏極。將反向恢復(fù)特性更好會(huì)存在問題。高頻諧振電路拓?fù)?C 13 章） 通常請(qǐng)求開關(guān)管必需能 在接受正向電流以后立刻展受反向電壓 。這時(shí)能夠運(yùn)用如的 D2 并聯(lián)在 DI 陽(yáng)極和 Ql 源極上圖9.19所示的電路 。二極管 Dl 阻止正向電流過(guò) MOSFET管中的體二極管 ，快速反向恢復(fù)二極管 D2 為正向電流提供通路 。
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