主板cmos電路分析-CMOS電路分析ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-10-25
CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫,它由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成,由于只有一種載流子,因而是一種單極型晶體管集成電路,其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管,如下圖所示。
CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖
cmos電路分析工作原理如下:
由于兩管柵極工作電壓極性相反,故將兩管柵極相連作為輸入端,兩個(gè)漏極相連作為輸出端,如圖1(a)所示,則兩管正好互為負(fù)載,處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。
當(dāng)輸入低電平(Vi=Vss)時(shí),PMOS管導(dǎo)通,NMOS管截止,輸出高電平,如圖1(b)所示。
當(dāng)輸入高電平(Vi=VDD)時(shí),PMOS管截止,NMOS管導(dǎo)通,輸出為低電平,如圖1(c)所示。
兩管如單刀雙擲開(kāi)關(guān)一樣交替工作,構(gòu)成反相器。
一、主板CMOS電路分析-主板CMOS電路組成
1. CMOS電路由于要保存CMOS存儲(chǔ)器中的信息,在主板斷電后,由一塊紐扣電池供電使CMOS電路正常工作,保證CMOS存儲(chǔ)器中的信息不丟失。CMOS電路在得到不間斷的供電和外圍專用晶振提供的時(shí)鐘信號(hào)后,將一直處于工作狀態(tài),可隨時(shí)參與喚醒任務(wù)(即開(kāi)機(jī))。
2. CMOS電路主要由CMOS隨機(jī)存儲(chǔ)器.實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路(包括振蕩器.晶振、諧振電容 等)、跳線、南橋芯片、電池及供電電路等幾部分組成。
二、主板CMOS電路分析-CMOS隨機(jī)存儲(chǔ)器
CMOS隨機(jī)存儲(chǔ)器的作用是存儲(chǔ)系統(tǒng)日期、時(shí)間、主板上存儲(chǔ)器的容量、硬盤的類型和數(shù)目、顯卡的類型,當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置和用戶設(shè)置的某些參數(shù)等重要信息,開(kāi)機(jī)時(shí)由BIOS對(duì)系統(tǒng)自檢初始化后,將系統(tǒng)自檢到的配置與CMOS隨機(jī)存儲(chǔ)器中的參數(shù)進(jìn)行比較,正確無(wú)誤后才啟動(dòng)系統(tǒng)。
三、主板CMOS電路分析-實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路
1.實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路的作用是產(chǎn)生32. 768kHz的正弦波形時(shí)鐘信號(hào),負(fù)責(zé)向CMOS電路和開(kāi)機(jī)電路提供所需的時(shí)鐘信號(hào)(CLK)。實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路主要包括振蕩器(集成在南橋中)、32.768kHz的晶振、諧振電容等元器件。
大部分的ESD電流來(lái)自電路外部,因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁,I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部,因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路,將ESD電流引入電壓線,再由電壓線分布到芯片各個(gè)管腳,降低ESD的影響。具體到I/O電路,就是與PAD相連的輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器,必須保證在ESD發(fā)生時(shí),形成與保護(hù)電路并行的低阻通路,旁路 ESD電流,且能立即有效地箝位保護(hù)電路電壓。而在這兩部分正常工作時(shí),不影響電路的正常工作。
常用的ESD保護(hù)器件有電阻、二極管、雙極性晶體管、MOS管、可控硅等。由于MOS管與CMOS工藝兼容性好,因此常采用MOS管構(gòu)造保護(hù)電路。
CMOS工藝條件下的NMOS管有一個(gè)橫向寄生n-p-n(源極-p型襯底-漏極)晶體管,這個(gè)寄生的晶體管開(kāi)啟時(shí)能吸收大量的電流。利用這一現(xiàn)象可在較小面積內(nèi)設(shè)計(jì)出較高ESD耐壓值的保護(hù)電路,其中最典型的器件結(jié)構(gòu)就是柵極接地NMOS(GGNMOS,GateGroundedNMOS)。
在正常工作情況下,NMOS橫向晶體管不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)ESD發(fā)生時(shí),漏極和襯底的耗盡區(qū)將發(fā)生雪崩,并伴隨著電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。一部分產(chǎn)生的空穴被源極吸收,其余的流過(guò)襯底。由于襯底電阻Rsub的存在,使襯底電壓提高。當(dāng)襯底和源之間的PN結(jié)正偏時(shí),電子就從源發(fā)射進(jìn)入襯底。這些電子在源漏之間電場(chǎng)的作用下,被加速,產(chǎn)生電子、空穴的碰撞電離,從而形成更多的電子空穴對(duì),使流過(guò)n-p-n晶體管的電流不斷增加,最終使NMOS晶體管發(fā)生二次擊穿,此時(shí)的擊穿不再可逆,則NMOS管損壞。
為了進(jìn)一步降低輸出驅(qū)動(dòng)上NMOS在ESD時(shí)兩端的電壓,可在ESD保護(hù)器件與GGNMOS之間加一個(gè)電阻。這個(gè)電阻不能影響工作信號(hào),因此不能太大。畫版圖時(shí)通常采用多晶硅(poly)電阻。
只采用一級(jí)ESD保護(hù),在大ESD電流時(shí),電路內(nèi)部的管子還是有可能被擊穿。GGNMOS導(dǎo)通,由于ESD電流很大,襯底和金屬連線上的電阻都不能忽略,此時(shí)GGNMOS并不能箝位住輸入接收端柵電壓,因?yàn)樽屳斎虢邮斩藮叛趸鑼拥碾妷哼_(dá)到擊穿電壓的是GGNMOS與輸入接收端襯底間的IR壓降。為避免這種情況,可在輸入接收端附近加一個(gè)小尺寸GGNMOS進(jìn)行二級(jí)ESD保護(hù),用它來(lái)箝位輸入接收端柵電壓,如下圖所示。
常見(jiàn)ESD的保護(hù)結(jié)構(gòu)和等效電路
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