MOS管 4665A 7.5A/650V規(guī)格書參數、封裝 原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-12-05
1、品牌：KIA
2、KIA半導體官網：www.bphengjia.com （歡迎咨詢，KIA半導體專業(yè)制造MOS管，會給客戶提供優(yōu)越的售后技術服務及前期的免費送樣等）
3、KIA公司簡介：深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發(fā)已經成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導體從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這個先進的技術是特別定制的，可將通態(tài)電阻降到最低，提供優(yōu)良的開關性能，能承受雪崩和交換模式下的高能脈沖。這個MOS管非常適合高效率開關電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲等。
KIA半導體是提供免費送樣及技術服務的，給客戶提供優(yōu)質的產品及售后服務，我們產品都是待載168小時持續(xù)高溫老化檢測及11項參數檢測的。
7.5A, 650V, RDS(on)typ.=1.1Ω@VGS=10V
低柵極電荷（典型25nC）
耐用度高
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt能力
型號：KNF4665A
電流/電壓：7.5A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
單脈沖雪崩能量：230MJ
雪崩電流：7.5A
重復雪崩電壓：21MJ
峰值二極管恢復dv/dt：4.5V/ns
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