MOS場(chǎng)效晶體管-功率場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2017-05-16
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)簡(jiǎn)稱功率MOSFET,是使用大都載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器材,且導(dǎo)通時(shí)只要一種極性的載流子參加導(dǎo)電,是單極型晶體管。與使用少數(shù)載流子導(dǎo)電的雙極型功率晶體管比較,功率 MOSFET 只靠單一載流子導(dǎo)電 ,不存在存儲(chǔ)效應(yīng) ,因而其關(guān)斷進(jìn)程十分敏捷 ,其開關(guān)時(shí)間在 10 - 100ns 之間 ,作業(yè)頻率可達(dá) 100kHz以上,最高能夠到達(dá)500kHz。功卒MOSFET、開關(guān)速度快,作業(yè)頻率高,能夠使高頻率開關(guān)電源在設(shè)計(jì)時(shí)體積更小、質(zhì)量更輕,習(xí)慣開關(guān)電源小型化、高效率化和高可靠性的開展請(qǐng)求 。
功率 MOSFET 按導(dǎo)電溝道分為N 溝道和IP 溝道兩種 ,N溝迫的載梳子為空穴 ,P 溝道的載流子為電子 。其電氣符號(hào)如圖 5-16 所示 ,圖中的MOS管三個(gè)極分別為 柵極 G、漏極 D、源極 S。
常用的功率 MOSFET 主要是 N 溝道增強(qiáng)型 。與通常小功率 MOSFET 的橫向?qū)щ姌?gòu)造不間 ,功率 MOSFET 大多選用筆直導(dǎo)電構(gòu)造 ,然后提高了耐壓和耐電流才能 ,因而它又名VMOSFET。功率 MOSFET 是電壓控制型器材 ,在它的柵極和源極間加一個(gè) 圖5-16 功率 MOSFET 的 受控的電壓 ,在漏極可獲得較大的電流 。功率 MOSFET 的柵極與源 極在電氣上是靠硅氧化層彼此阻隔的 ,具有很高的輸入阻抗 ,因而其驅(qū)動(dòng)電流很小 ,為 100nA 數(shù)量級(jí) ,而輸山電流可達(dá)數(shù)安培至十幾安培 。功率 MOSFET 所需的驅(qū)動(dòng)功率很小,因 此其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的請(qǐng)求較低。功率 MOSFET 靜態(tài)時(shí)簡(jiǎn)直不需輸入電流 ,但在開關(guān)過科中簾對(duì)輸 入電容充 、放電,因而它仍需定的驅(qū)動(dòng)功率,且開關(guān)頻率越高 ,所需求的驅(qū)動(dòng)功率越大 。
由于功率 MOSFET 具有正的溫度系數(shù),所以當(dāng)有限個(gè)管子直接并聯(lián)時(shí) ,能夠自動(dòng)均衡 電流,不會(huì)發(fā)生過熱點(diǎn) ,熱穩(wěn)定性好。
功率 MOSF'ET 具有驅(qū)動(dòng)功率小 、作業(yè)頻率高 、安全作業(yè)以寬 、元二次擊穿等特點(diǎn) 。功 率 MOSFET 的導(dǎo)通壓陣稍大 ,電流容量小,耐壓低 ( 小于 1儀>OV ) ,通常只適用于中小功率開關(guān)管電源,在中低斥、小電流、高頻率范疇占用優(yōu)勢(shì)。現(xiàn)在,功率 MOSFET 的容量水平為 50A/500 V ,作業(yè)頻率為 100kHz。
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