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MOSFET-MOSFET與符號(hào)圖文解析(附動(dòng)畫圖)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-04-01 

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MOSFET-MOSFET與符號(hào)圖文解析(附動(dòng)畫圖)

MOSFET與符號(hào)詳解,MOSFET是很常用的一個(gè)器件,可以起到“導(dǎo)通”“截止”的狀態(tài),大量的用在電源處理中。先從量上來(lái)說(shuō),NMOS器件是比PMOS要更常見(jiàn),因?yàn)镻MOS開(kāi)關(guān)慢,電壓高,很費(fèi)勁。如果能找到源柵漏這幾個(gè)標(biāo)注,可以通過(guò)寄生二極管的方向來(lái)做判斷。


今天寫一下,MOS管電路符號(hào)和寄生二極管方向,和半導(dǎo)體類型的對(duì)應(yīng)關(guān)系。


NMOS和PMOS,都是MOS管的一種類型。MOS,叫金屬氧化物半導(dǎo)體。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


氧化物是一個(gè)絕緣介質(zhì),氧化物上下兩側(cè)都是金屬,那就是一個(gè)電容。


氧化物其中一側(cè)是半導(dǎo)體,另一側(cè)是金屬,其實(shí)也是一個(gè)電容。


如果給MOS的M金屬側(cè)加正電荷,那挨著介質(zhì)的一側(cè)就會(huì)被感應(yīng)出負(fù)電荷。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


一般半導(dǎo)體是一個(gè)體結(jié)構(gòu),標(biāo)注為block,B,看電路符號(hào)都是有個(gè)箭頭,那個(gè)箭頭表示了電子被感應(yīng)的方向。上圖金屬正電荷,在介質(zhì)靠近金屬的地方,感應(yīng)出很多電子。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


繼續(xù)設(shè)計(jì)這個(gè)結(jié)構(gòu),兩側(cè)做成n型半導(dǎo)體,n型半導(dǎo)體里邊是有自由電子。MOS管加電壓,感應(yīng)吸附自由電子靠近氧化物,這些自由電子就把兩側(cè)的n型半導(dǎo)體導(dǎo)通了的。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


金屬氧化物半導(dǎo)體,不加電,兩側(cè)半導(dǎo)體不導(dǎo)通。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


MOS,控制兩側(cè)N型半導(dǎo)體是否導(dǎo)通,這是個(gè)NMOS,那底下的襯底就要做成P型半導(dǎo)體。在電路符號(hào)里,就會(huì)看到這么標(biāo)注。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)

MOSFET,MOSFET與符號(hào)


襯底做成P型,是在無(wú)電壓的情況下,源和漏是一對(duì)兒背靠背的二極管,能夠穩(wěn)定截止。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)

MOSFET,MOSFET與符號(hào)


綜合一下,NMOS的電路符號(hào)是這樣的。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


一般咱們適用的MOS管,并不會(huì)做成四個(gè)電極,而是會(huì)吧體電極與源合并。


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


小結(jié)一下NMOS:

① MOS中金屬加正電壓,底部感應(yīng)出電子

② 自由電子,導(dǎo)通兩側(cè)的n型半導(dǎo)體

③ 零電壓時(shí),源漏之間是反向截止二極管。


同理,下圖PMOS

① MOS中金屬加負(fù)電壓,底部感應(yīng)出空穴,(下頭的箭頭,是電子的方向,空穴流向氧化物邊緣,電子則會(huì)遠(yuǎn)離)

② 空穴增多,導(dǎo)通兩側(cè)的p型半導(dǎo)體,(P型半導(dǎo)體也是有空穴)

③ 零電壓時(shí),源漏之間是反向截止二極管。(PMOS源漏之間的電壓和PN結(jié)的電壓,通通都和NMOS反向。依然是截止。)


MOSFET,MOSFET與符號(hào)


但凡可以看到源漏標(biāo)注,就可以通過(guò)寄生電壓的方式來(lái)判別是nmos還是pmos。


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