永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

MOS管知識-MOS管參數(shù)(極限參數(shù)與靜態(tài)參數(shù))及作用解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-08-04 

分享到:

MOS管知識-MOS管參數(shù)(極限參數(shù)與靜態(tài)參數(shù))及作用解析

本文主要分析MOS管參數(shù),講=MOS管即金屬氧化物半導體場應(yīng)管,是電路設(shè)計中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;MOS管有三個電極:


柵極G:

MOS管的控制端,全名為:GATE,在G端加入高低電平即可控制MOS管的開斷。對于NMOS管而言,要求Vgs>0時,MOS管導通,否則MOS管關(guān)斷;PMOS管,反之。


源極S:

全名為:Source,簡稱S。對于NMOS管來說,S是流出端,對于PMOS管來說,S是流入端。


漏極D:

全名為:Drain,簡稱D。對于NMOS管來說,D是流入端,對于PMOS管來說,D是流出端。


NMOS管的特性:Vgs大于一定的值就會導通,適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電壓達到一定電壓就可以了;


PMOS管的特性:Vgs小于一定的值就會導通,適用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動中,通常還是使用NMOS。


作用是:加在輸入端G(柵極)電壓,來控制D(漏極)輸出端電流。

導通特性:作為開關(guān),相當于開關(guān)閉合。


MOS管參數(shù)

MOS管重要參數(shù)(極限參數(shù)與靜態(tài)參數(shù))如下詳解:


(一)極限參數(shù)

ID:最大漏源電流(最大連續(xù)電流)。是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所衰減。


IDM:最大脈沖漏源電流(所能承受瞬間最大電流)。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。


PD:最大耗散功率。是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所衰減。


BVDSS :漏源雪崩電壓.

特性:測量BVDSS就是功率MOSFET的D、S加電壓時,從原理上相當于內(nèi)部的寄生二極管工作在反向特性區(qū)測量BVDSS就是功率MOSFET的D、S加電壓時,從原理上相當于內(nèi)部的寄生二極管工作在反向特性區(qū)。

MOS管,MOS管參數(shù)


當測試的IDSS值越大,所得到的BVDSS電壓值越高。因此使用不同的測試標準時,實際的性能會有較大的差異,當改用更大的測試電流的時候,所得到的名義電壓更高,也就是采用不同的測量規(guī)范。


(1)功率MOSFET數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS的定義具有條件,不同的測試條件下,得到的名義耐壓不一樣,使用的漏電流越大,測量得到的名義耐壓越高。


(2)功率MOSFET的BVDSS具有正溫度系數(shù)高,其原因在于溫度越高,載流子運動的平均自由程減小。溫度越高,BVDSS增加并不能表明其安全性增加,功率MOSFET的安全性最終由其溫度來決定。


VGS:最大柵源電壓:指g和s之耐壓值,一般為±20V(需查看MOS管的規(guī)定值,如果電壓高于規(guī)定值,會存在Ids電流失控燒壞情況).是柵極相對于源極的電壓(柵極和源極之間的電壓降) ,該電壓決定了MOS管處于什么狀態(tài)?確定晶體管的工作狀態(tài):導通/截止,或者弱反/強反/速度飽和等。


Tj:最大工作結(jié)溫。通常為150℃或175℃ ,器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度,并留有一定裕量。


TSTG :存儲溫度范圍。


(二)靜態(tài)參數(shù)

V(BR)DSS:漏源擊穿電壓。(D端-S端所能承受電壓值,受制于內(nèi)藏二極管的耐壓,條件:VGS=0,ID=250uA時,與溫度成正比)。是指柵源電壓 VGS 為 0 時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。它具有正溫度特性,故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),一般為0.1V/ ℃。


RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V,4.5V,2.5V )、結(jié)溫及漏極電流的條件下,MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗。(量測方法:GS給電壓,DS端給電流ID,量測VDS與ID,通過歐姆定律算出電阻:內(nèi)阻)。它是一個非常重要的參數(shù),決定了 MOSFET 導通時的DC消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計算。


VGS(th) :開啟電壓(閥值電壓)。柵極閾值電壓是為使MOSFET導通,柵極與源極間必需的電壓。也就是說,VGS如果是閾值以上的電壓,則MOSFET導通。當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時,漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中,常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨著溫度的上升而有所降低。

MOS管,MOS管參數(shù)


溫度特性可以看出VGS(th)隨著溫度的升高有下降趨勢。這表明當溫度上升時,VGS(th)變低,就是更低的VGS流過更多的ID。當然,也就是說,這與ID-VGS的溫度特性一致。另外,VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性,因此可除以系數(shù),根據(jù)VGS(th)的變化量計算溫度上升。


VFSD:內(nèi)嵌二極管的正向?qū)▔航担琕FSD=VS-VD。(測量方法:1.VGS=0V時,量測壓降;2.G腳Open時,量測壓降;)。


IDSS:指飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓VGS=0時的漏源電流,DS漏電流。(定義:當柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時,對應(yīng)的漏極電流。)


方法:柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在納安級。


IGSS:指柵漏電(GS漏電流),測量的時候通常其他電極都是接地的,只在柵上加一個特定的電壓,這個值越小越好,越小代表柵氧的質(zhì)量越好。由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 一般在納安級。


MOS管的作用

1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.可以用作可變電阻。

4.可以方便地用作恒流源。

5.可以用作電子開關(guān)。

6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助














海晏县| 且末县| 台山市| 龙川县| 栾川县| 荣成市| 腾冲县| 盐山县| 交城县| 东方市| 石泉县| 绥芬河市| 岚皋县| 定日县| 金阳县| 西畴县| 饶阳县| 拉萨市| 上虞市| 龙山县| 宜宾市| 酉阳| 乐至县| 中宁县| 平乡县| 库伦旗| 全南县| 中江县| 沙田区| 韶山市| 施甸县| 剑川县| 西乌珠穆沁旗| 昌都县| 轮台县| 沾化县| 永丰县| 北海市| 台北市| 屯昌县| 民县|