高壓晶體管的抗飽和技術(shù)
信息來源：本站 日期：2017-05-26
高壓晶體管的抗飽和技術(shù)
在高壓雙極型開關(guān)晶體管中，“下降時間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動關(guān)斷電流特性曲線的形狀來決定，從基極關(guān)斷驅(qū)動申請到真正關(guān)斷沿之間的延時是存儲延時時間，它取決于關(guān)斷之前的基區(qū)少數(shù)裁流子濃度。
通過使少數(shù)載流子濃度最低來使存儲時間減到最少，具體可解釋為，在晶體管關(guān)斷之前，保證其基極電流剛好滿足驅(qū)動，而保持晶體管處在準(zhǔn)飽和的狀態(tài)。
經(jīng)常用來實現(xiàn)使少數(shù)載流子濃度最低的一種方法叫作二極管補償性鉗位電路。因為這種方法的優(yōu)點是對（cmos）驅(qū)動進行帶負(fù)反饋的動態(tài)鉗位，所以能夠?qū)Ω鞣N器件的增益以及飽和電壓不可避免的變化有補償作用，同時它也會對由于溫度與負(fù)載變化而引起的開關(guān)晶體管參數(shù)的變化做出反應(yīng)。
二極管補償性鉗位電路
圖1.17.1中是一個典型的補償性鉗位電路，它的工作原理如下：
二極管Dl、D2與基極驅(qū)動元件串聯(lián)連到Ql的基極，A點驅(qū)動電壓包括二極管DI、D2上的壓降和Ql基射極電壓Vh。在oi導(dǎo)通時A點驅(qū)動電壓近似達到2V。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，其集電極電壓開始下降，當(dāng)這個集電極電壓降到約1. 3V時，D3開始導(dǎo)通，使基極驅(qū)動電流分流到Q1的集電極。這個鉗位行為受負(fù)反饋控制，自調(diào)整將一直持續(xù)到Q1的集電極電壓有效地鉗位在1.3V上為止。
這樣的話，晶體管始終保持在準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，以最少的基極驅(qū)動電流維持這種狀態(tài)。在導(dǎo)通時這個準(zhǔn)飽和狀態(tài)維持基區(qū)的最少的少數(shù)載流子數(shù)，從而在關(guān)斷期獲得最小的延時時間。在關(guān)斷期，D4給Ql基極的反向關(guān)斷電流提供了一條通路。
在基極電路中二極管數(shù)目Dl、D2、…、Dn的選擇應(yīng)該和晶體管的飽和電壓匹配。這個鉗位電壓應(yīng)該高于在工作電流下的晶體管正常的飽和集電極電壓，確保在準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)下真正維持晶體管工作。
這項技術(shù)有一個缺點是，在導(dǎo)通期間Ql的集電極電壓略高于深飽和時的集電極電壓，增加了晶體管的功耗。
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