永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國(guó)家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

MOSFET導(dǎo)通過(guò)程圖文詳細(xì)分析(快速了解)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-09-04 

分享到:

MOSFET導(dǎo)通過(guò)程圖文詳細(xì)分析(快速了解)

MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解,MOSFET簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。


(一)MOSFET開(kāi)通過(guò)程

MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

T0~T1:驅(qū)動(dòng)通過(guò)Rgate對(duì)Cgs充電,電壓Vgs以指數(shù)的形式上升。


MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

T1~T2:Vgs達(dá)到MOSFET開(kāi)啟電壓,MOSFET進(jìn)入線(xiàn)性區(qū),Id緩慢上升,至T2時(shí)刻Id到達(dá)飽和或是負(fù)載最大電流。在此期間漏源極之間依然承受近乎全部電壓Vdd。


MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

T2~T3:T2時(shí)刻 Id達(dá)到飽和并維持穩(wěn)定值,MOS管工作在飽和區(qū),Vgs固定不變, 電壓Vds開(kāi)始下降。此期間Cgs不再消耗電荷, VDD開(kāi)始給Cgd提供放電電流。


MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

T3~T4: 電壓Vds下降到0V,VDD繼續(xù)給Cgs充電,直至Vgs=VDD,MOSFET完成導(dǎo)通過(guò)程。


重要說(shuō)明:

Vgs的各個(gè)階段的時(shí)間跨度同柵極消耗電荷成比例(因△Q = IG△T,而IG在此處為恒流源之輸出)。


T0 ~ T2跨度代表了Ciss(VGS+ CGD)所消耗的電荷,對(duì)應(yīng)于器件規(guī)格書(shū)中提供的參數(shù)Qgs(Gate to Source Charge)。


T2 ~ T3跨度代表了CGD(或稱(chēng)為米勒電容)消耗的電荷,對(duì)應(yīng)于器件規(guī)格書(shū)中提供的參數(shù)Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。


T3時(shí)刻前消耗的所有電荷就是驅(qū)動(dòng)電壓為Vdd、電流為Id的MOSFET所需要完全開(kāi)通的最少電荷需求量。T3以后消耗的額外電荷并不表示驅(qū)動(dòng)所必須的電荷,只表示驅(qū)動(dòng)電路提供的多余電荷而已 。


開(kāi)關(guān)損失:在MOSFET導(dǎo)通的過(guò)程中,兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,那么這段時(shí)間里,MOS管損失的是電壓和電流的乘積,稱(chēng)為開(kāi)關(guān)損失。


導(dǎo)通損耗: MOS管在導(dǎo)通之后,電流在導(dǎo)通電阻上消耗能量,稱(chēng)為導(dǎo)通損耗。


整體特性表現(xiàn):

驅(qū)動(dòng)電量要求:

△Q t0 ~ t4= (t4-t0 )IG = VG(CGS + CGD)+ VDDCGD


驅(qū)動(dòng)電流要求:

IG =△Q t0 ~ t4 /(t4-t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3-t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)


驅(qū)動(dòng)功率要求:

Pdrive=∫t4-t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG(CGS+CGD)+ VDDCGD〕


驅(qū)動(dòng)電阻要求:

RG = VG / IG


一般地可以根據(jù)器件規(guī)格書(shū)提供的如下幾個(gè)參數(shù)作為初期驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的計(jì)算假設(shè):

a) Qg(Total Gate Charge):作為最小驅(qū)動(dòng)電量要求。

b)相應(yīng)地可得到最小驅(qū)動(dòng)電流要求為IG ≈Qg/(td(on)+tr)。

c)Pdrive=VG *Qg作為最小驅(qū)動(dòng)功率要求。

d)相應(yīng)地,平均驅(qū)動(dòng)損耗為VG *Qg*fs


二、MOSFET關(guān)斷過(guò)程

MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

MOSFET關(guān)斷過(guò)程是開(kāi)通過(guò)程的反過(guò)程,如上圖示意。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助







邻水| 孟津县| 曲靖市| 巴马| 石首市| 丰顺县| 观塘区| 韩城市| 临清市| 达拉特旗| 淮阳县| 浦城县| 托克逊县| 嘉黎县| 青川县| 安康市| 东港市| 利川市| 建平县| 称多县| 马尔康县| 河南省| 墨脱县| 福贡县| 互助| 磐石市| 连州市| 莎车县| 南澳县| 姚安县| 云林县| 大荔县| 温州市| 米林县| 龙门县| 北安市| 万山特区| 始兴县| 灵石县| 梅州市| 兴化市|