MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞及判斷注意事項(xiàng)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-09-28
(一)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)
1.判別電極與管型
用萬(wàn)用表R×100檔或R×1k檔,用黑表筆任接一個(gè)電極,用紅表筆依次觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)出某一電極與另外兩個(gè)電極的阻值均很大(無(wú)窮大)或阻值均較?。◣装贇W姆至一千歐姆),則可判斷黑表筆接的是柵極G,另外兩個(gè)電極分別是源S和漏極D。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞,在兩個(gè)阻值均為高阻值的一次測(cè)量中,被測(cè)管為P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管;在兩個(gè)阻值均為低阻值的一次測(cè)量中,被測(cè)管為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。也可以任意測(cè)量結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。若測(cè)出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等,且為幾千歐姆,則這兩個(gè)電極分別為漏極D和源極S,另一個(gè)電極為柵極G。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上具有對(duì)稱性,可以互換使用。若測(cè)得場(chǎng)效應(yīng)晶體管某兩極之間的正、反向電阻值為0或?yàn)闊o(wú)窮大,則說(shuō)明該管已擊穿或已開路損壞。
2.檢測(cè)其放大能力
用萬(wàn)用表R×100檔,紅表筆接場(chǎng)效應(yīng)管的源極S,黑表筆接其漏極D,測(cè)出漏、源極之間的電阻值RSD后,再用手捏信柵極G,萬(wàn)用表指針會(huì)向左或右擺動(dòng)(多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的RSD會(huì)增大,表針向左擺動(dòng);少數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的RSD會(huì)減小,表針向右擺動(dòng))。只要表針有較大幅度的擺動(dòng),即說(shuō)明被測(cè)管有較大的放大能力。
(二)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)
1.電極的判別
MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞,大多數(shù)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的管腳位置排列順序是相同的,即從場(chǎng)效應(yīng)晶體管的底部(管體的背面)看,按逆時(shí)針?lè)较蛞来螢槁OD、源極S、柵極G1和柵極G2。因此,只要用萬(wàn)用表測(cè)出漏極D和源極S,即可找出兩個(gè)柵極。
檢測(cè)時(shí),可將萬(wàn)用表置于R×100檔,用兩表筆分別測(cè)任意兩引腳之間的正、反向電阻值。當(dāng)測(cè)出某兩腳之間的正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆(其余各引腳之間的電阻值均為無(wú)窮大),這兩個(gè)電極便是漏極D和源極S,另兩個(gè)電極為柵極G1和柵極G2。
2.估測(cè)放大能力
用萬(wàn)用表R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,在測(cè)量漏極D與源極S之間的電阻值RSD的同時(shí),用手指捏住兩個(gè)柵極,加入人體感應(yīng)信號(hào)。若加入人體感應(yīng)信號(hào)后,RSD的阻值由大變小,則說(shuō)明該管有一定有放大能力。萬(wàn)用表指針向右擺越大,說(shuō)明其放大能力越強(qiáng)。
3.判斷其好壞
MOS場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞,用萬(wàn)用表R×10檔或R×100檔,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極S和漏極D之間的電阻值。正常時(shí),正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆。且黑表筆接漏極D、紅表筆接源極S時(shí)測(cè)得的電阻值較黑表筆接源極S、紅表筆接D時(shí)測(cè)得的電阻值要略大一些。若測(cè)得D、S極之間的電阻值為0或?yàn)闊o(wú)窮大,則說(shuō)明該管已擊穿損壞或已開路損壞。用萬(wàn)用表R×10k檔,測(cè)量其余各引腳(D、S之間除外)的電阻值。正常時(shí),柵極G1與G2、G1與D、G1與S、G2與D、G2與S之間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得阻值不正常,則說(shuō)明該管性能變差或已損壞。
1.用10K檔,內(nèi)有15伏電池??商峁?dǎo)通電壓。
2.因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管。
3.利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。
4.大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。
5.大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。
以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。如果對(duì)新拿到的不明MOS管,可以通過(guò)測(cè)定來(lái)判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。
管腳測(cè)定方法:
①柵極G的測(cè)定:用萬(wàn)用表R&TImes;100檔,測(cè)任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定:用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆不動(dòng),黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:
a.若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。
b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動(dòng),改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時(shí)若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管,測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。
(2)目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。
(3)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管,其最高工作頻率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。
(4)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達(dá)到30W。
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