1500V2.5A仙童NDUL03N150C|規(guī)格書參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-11-09
仙童NDUL03N150C,n溝道功率MOSFET,1500V2.5A,10.5Ω，TO-3PF-3L
導通電阻RDS(on)=8Ω(typ.)
輸入電容Ciss=650pF(typ.)
10V 驅動
MOSFET主要參數：
1.開啟電壓VT
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比這一特性有時以流過柵極的柵流表示MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導gm
在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導；gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力；是表征MOS管放大能力的一個重要參數；一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6. 導通電阻RON
導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CGS和CGD約為1～3pF
CDS約在0.1～1pF之間
8. 低頻噪聲系數NF
噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的
由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸入時，在輸出端也出現不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）
這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數
場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小
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