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MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解分析,就是這么簡單-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-11-11 

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MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解分析,就是這么簡單-KIA MOS管


MOS管結(jié)構(gòu)原理

MOS管又稱場效應(yīng)管,即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體,確切的說,這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),即:在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上,加上二氧化硅和金屬,形成柵極。


MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。


雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。


FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。


場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。


這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。


MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解

MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功?/span>MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。


MOS管結(jié)構(gòu)原理


其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。


n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。


1、結(jié)構(gòu)和符號(以N溝道增強型為例)

在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。


MOS管結(jié)構(gòu)原理


2、工作原理

MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。


在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。


當(dāng)柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。


MOS管結(jié)構(gòu)原理


(以N溝道增強型為例)


MOS管結(jié)構(gòu)原理


(1)VGS=0時,不管VDS極性如何,其中總有一個PN結(jié)反偏,所以不存在導(dǎo)電溝道。

VGS=0,ID=0

VGS必須大于0

管子才能工作。


MOS管結(jié)構(gòu)原理


(2)VGS≥0時,在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個垂直于半導(dǎo)體表面的電場,排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通,形成導(dǎo)電溝道。


VGS≥0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道

VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑

(3)VGS≥VT時而VDS較小時:VDS↑→ID↑


MOS管結(jié)構(gòu)原理


T:開啟電壓,在VDS作用下開始導(dǎo)電時的VGS°;VT=VGS—VDS


MOS管結(jié)構(gòu)原理


(4)VGS》0且VDS增大到一定值后,靠近漏極的溝道被夾斷,形成夾斷區(qū)。VDS↑→ID不變


MOS管結(jié)構(gòu)原理:優(yōu)勢

1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。


2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。


3.可以用作可變電阻。


4.可以方便地用作恒流源。


5.可以用作電子開關(guān)。


6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配。


MOS管(場效應(yīng)管)的應(yīng)用領(lǐng)域

1.工業(yè)領(lǐng)域、步進馬達驅(qū)動、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源


2.新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機


3.交通運輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車


4.綠色照明領(lǐng)域、CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器




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