?MOS管知識(shí)解析|如何降低MOS的失效率-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-11-24
如何降低MOS的失效率:在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何解決?一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。
【問(wèn)題分析】
圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,由于寄生電感的存在,在高端MOS關(guān)閉后,低端MOS的體二極管鉗位之前,寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流,導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓,且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。
該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常,還可能讓自舉電容過(guò)充電導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路或者柵極損壞。由于IC的驅(qū)動(dòng)端通常都有寄生二極管,當(dāng)瞬間的大電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)口的二極管時(shí),很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應(yīng),導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路徹底損壞。
【解決方法】
如何降低MOS的失效率:如上圖所示,在自舉驅(qū)動(dòng)芯片VS端與Q1的源極之間增加一個(gè)電阻Rvs,該電阻不僅是自舉限流電阻,同時(shí)還是導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電阻。
由于占空比受自舉電容影響,該電阻值一般不能取得較大,推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時(shí)間可以由以下公式得出:
其中C是自舉電容容值,D為最大占空比
對(duì)于減小高端MOS驅(qū)動(dòng)的寄生振蕩,除通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)端的電阻發(fā)揮作用外,在印制電路板的設(shè)計(jì)中,還可注意以下一些細(xì)節(jié),將寄生振蕩降到最低。
如:自舉二極管應(yīng)緊靠自舉電容,功率布線盡量短且走線圓滑,直插器件應(yīng)緊貼PCB以減小寄生電感等。
KIA半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠家(國(guó)家高新技術(shù)企業(yè))成立于2005年,公司成立初期就明確立足本土市場(chǎng),研發(fā)為先導(dǎo),了解客戶需求,運(yùn)用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計(jì)方案和國(guó)際同步研發(fā)技術(shù);
結(jié)合中國(guó)市場(chǎng)的特點(diǎn),向市場(chǎng)推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品,產(chǎn)品的穩(wěn)定性,高性價(jià)比,良好的服務(wù),以及和客戶充分的技術(shù),市場(chǎng)溝通的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度,在移動(dòng)數(shù)碼,LCE,HID,LED,電動(dòng)車,開關(guān)電源,逆變器,節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認(rèn)可。
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KIA半導(dǎo)體持續(xù)改進(jìn),永不止步期待與您一起努力向市場(chǎng)提供,更高性價(jià)比產(chǎn)品,共同提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。KIA從研發(fā)設(shè)計(jì)到制造封裝,再到倉(cāng)儲(chǔ)和物流等擁有專業(yè)的團(tuán)隊(duì),讓客戶從一個(gè)想法變成成品,讓客戶產(chǎn)品亮點(diǎn)無(wú)限擴(kuò)大的一體化服務(wù)。
KIA生產(chǎn)的MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管的具體應(yīng)用領(lǐng)域
1.工業(yè)領(lǐng)域:步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),電鉆工具,工業(yè)開關(guān)電源
2.新能源領(lǐng)域:光伏逆變,充電樁,無(wú)人機(jī)
3.交通領(lǐng)域:車載逆變器,汽車HID安定器,電動(dòng)自動(dòng)車
4.綠色照明領(lǐng)域:CCFL節(jié)能燈,LED照明電源,金鹵燈鎮(zhèn)流器
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KIA本著“攜手客戶,創(chuàng)新設(shè)計(jì),共同提升,服務(wù)市場(chǎng)”的理念,期待在您的大力支持下,使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。
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