永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

MOS管當開關管是如何實用

信息來源:本站 日期:2017-06-11 

分享到:
普通狀況下普遍用于高端驅動的MOS,導通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.假如在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要特地的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵,要留意的是應該選擇適宜的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

MOS管是電壓驅動,按理說只需柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS,柵極串多大電阻均能導通。但假如請求開關頻率較高時,柵對地或VCC能夠看做是一個電容,關于一個電容來說,串的電阻越大,柵極到達導通電壓時間越長,MOS處于半導通狀態(tài)時間也越長,在半導通狀態(tài)內阻較大,發(fā)熱也會增大,極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小,普通要加前置驅動電路的。下面我們先來理解一下MOS管開關的根底學問。

MOS管的開關特性

一、靜態(tài)特性
MOS管作為開關元件,同樣是工作在截止或導通兩種狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓uGS決議其工作狀態(tài)?! 」ぷ魈匦匀缦拢?

uGS<開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū),漏源電流iDS根本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài),其等效電路如下圖所示。

uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導通區(qū),漏源電流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中,rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/(RD+rDS),假如rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態(tài),其等效電路如上圖(c)所示。

二、動態(tài)特性
MOS管在導通與截止兩種狀態(tài)發(fā)作轉換時同樣存在過渡過程,但其動態(tài)特性主要取決于與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間,而管子自身導通和截止時電荷積聚和消散的時間是很小的。下圖 (a)和(b)分別給出了一個NMOS管組成的電路及其動態(tài)特性表示圖。


NMOS管動態(tài)特性表示圖

當輸入電壓ui由高變低,MOS管由導通狀態(tài)轉換為截止狀態(tài)時,電源UDD經(jīng)過RD向雜散電容CL充電,充電時間常數(shù)τ1=RDCL.所以,輸出電壓uo要經(jīng)過一定延時才由低電平變?yōu)楦唠娖?;當輸入電壓ui由低變高,MOS管由截止狀態(tài)轉換為導通狀態(tài)時,雜散電容CL上的電荷經(jīng)過rDS停止放電,其放電時間常數(shù)τ2≈rDSCL.可見,輸出電壓Uo也要經(jīng)過一定延時才干轉變成低電平。但由于rDS比RD小得多,所以,由截止到導通的轉換時間比由導通到截止的轉換時間要短。

由于MOS管導通時的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多,漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大,所以,MOS管的充、放電時間較長,使MOS管的開關速度比晶體三極管的開關速度低。不過,在CMOS電路中,由于充電電路和放電電路都是低阻電路,因而,其充、放電過程都比擬快,從而使CMOS電路有較高的開關速度。

相關文章:
mos管 mos管做開關電路 mos管開關原理

mos管廠家 mos管的作用 mos管開關電路詳解


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注

江西省| 濮阳县| 自治县| 额尔古纳市| 文成县| 大名县| 潞城市| 常宁市| 左云县| 循化| 崇仁县| 漾濞| 新安县| 留坝县| 新密市| 铜鼓县| 东明县| 万荣县| 华坪县| 博白县| 泰来县| 无锡市| 滦平县| 临城县| 峨眉山市| 云梦县| 泸州市| 牟定县| 麻阳| 清远市| 辽源市| 安平县| 烟台市| 名山县| 南江县| 金坛市| 淅川县| 吴堡县| 新乡县| 同心县| 绩溪县|