永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

元器件的基礎結(jié)構(gòu)

信息來源:本站 日期:2017-06-13 

分享到:

元器件的基礎結(jié)構(gòu)

人類研究半導體器件已經(jīng)超過125年‘n,迄今大約有60種主要的器件以及100種和主要器件相關(guān)的變異器件‘q.但所有這些器件均可由幾種基本器件結(jié)構(gòu)所組成圖1.2(a)是金屬半導體( metal-semiconductor)接觸界兩(interface)的示意圖,此種界面由金屬和半導體兩種材料緊密接觸所形成.早在公元1874年即有人研究這種基礎結(jié)構(gòu),可以說,它開創(chuàng)了半導體器件研究的先河.


金屬一半導體可以用來做整流接觸( rectifying contact).使電流只仇由單一方向流過:或者也可以用來作歐姆接觸(ohmic  contact)電流可以雙向通過·且落在接觸上的電壓降很小,甚至可以忽略.此種界面可以用來形成很多有用的器件例如,利用整流接觸當(Sate),利用歐姆接觸當作漏極(drain)和豫極(source),即形成一個金半場效應晶體臂(metal-semiconductor  field-effec transistoriMESFE7).;棒穢晶體管是一種很熏要的微波器件( microwave device)


第二種基礎結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)(junction),如圖1.2(b)所示,是一種由p型(有帶正電的載流子)和n型(有帶負電的載流子)半導體接觸成的結(jié).p-n結(jié)是大部分半導體器件的關(guān)鍵基礎結(jié)構(gòu),其理論也可說是半導體器件物理的基礎,如果我們結(jié)合兩個p-n結(jié),亦即加上另一個p型半導體·就可以形成一|個.p-n-p雙極型晶體管(p-n-p!bipolartransistorJ.,這是_二種在1947年發(fā)明的晶體管,它為半導體工業(yè)帶來了空前的沖擊.而如果我們結(jié)合蘭個pn結(jié)就可以形成p-n-p-n結(jié)構(gòu)·這是一種開關(guān)器件(switching device).叫作可控硅器件(thyristor).


第三種基礎結(jié)構(gòu)是異質(zhì)結(jié)( heteroj unction  interfade),如圖1.2Cc)所示,這是由兩種不同材料的半導體接觸形成的結(jié).例如,我們可以用砷化鎵和砷化鋁接觸來形成一個異質(zhì)結(jié).異質(zhì)結(jié)是快速器件和光電器件的關(guān)鍵構(gòu)成要素


圖1.2(d)顯示的是金屬一氧化物一半導體( metal-oxide-sem.iconductor,MOS)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以視為是金屬·氧化物界面和氧化一半導體界面的結(jié)合,用mos結(jié)構(gòu)當作柵極,再用兩個p-n結(jié)分別當作漏極和源極,就可以制作出金氧半場效應晶體管(metalt-oxide semi-conductor field-effect transistor,MOSFET),對先進的集成電路而言,要將上萬個器件整合在一個集成電路芯片(chip,或譯晶粒)中,MOSFET是最重要的器件.



聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


關(guān)注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”

長按二維碼識別關(guān)注



平陆县| 布拖县| 大丰市| 广丰县| 和龙市| 淳化县| 雅安市| 新闻| 元阳县| 疏附县| 大竹县| 衡水市| 若羌县| 喀喇沁旗| 华池县| 博客| 武功县| 仙桃市| 临夏市| 潮安县| 漠河县| 呼图壁县| 太仆寺旗| 永胜县| 莒南县| 田阳县| 营口市| 锦州市| 翁源县| 镇坪县| 喀什市| 久治县| 香格里拉县| 大英县| 图木舒克市| 景洪市| 财经| 固安县| 渝北区| 中宁县| 正安县|