MOS管柵極反并聯(lián)二極管及MOS管并聯(lián)理論-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-17
經(jīng)常會看到MOS驅(qū)動電路中柵極電阻會反并聯(lián)一個二極管。
MOS使用在半橋電路中的情況特別多，而半橋電路要求上下管具有死區(qū)時間，可能由于之前電子技術還不夠先進，控制芯片無法生成互補的帶死區(qū)時間的PWM信號，只能通過MOS“慢開快關”來生成死區(qū)。
在柵極電阻上反并聯(lián)二極管就實現(xiàn)了MOS的快速關斷。
另外，大功率MOS一般用在不超過200V的低壓場合（當然很早就有600V左右的高壓MOS，用在小功率的開關電源中），而且一般不采取負壓驅(qū)動。
驅(qū)動芯片一般也不會有米勒鉗位功能。要抑制米勒電容引起的寄生導通只能通過增加柵極電容或者減小關斷狀態(tài)下的柵極回路阻抗，因此反并聯(lián)二極管對抑制寄生導通有一定作用。
(1)、晶體管具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會變小。
(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。
相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯(lián)電路中的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進行分流。
采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導通電阻的增大，減少流過的電流；
MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來反復調(diào)節(jié)，最后可實現(xiàn)兩個MOS管之間的電流均衡。
注：晶體管也可以通過并聯(lián)來實現(xiàn)大電流的流通，但是此時需要通過在基極串接驅(qū)動電阻來解決各個并聯(lián)晶體管之間的電流均衡問題。
晶體管(MOS管)并聯(lián)注意事項：
(1)、各個晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅(qū)動電阻進行驅(qū)動，以防止振蕩。
(2)、要控制各個晶體管(MOS管)的開啟時間和關斷時間保持一致，因為如果不一致，先開啟的管子或后關斷的管子會因電流過大而擊穿損壞。
(3)、為了以防萬一，最好在各個晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當然這并非強制選項。
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