3.3V和5V電平雙向轉(zhuǎn)換—MOS管電路分析-KIA MOS管

3.3V和5V電平轉(zhuǎn)換

電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見，因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木，這個(gè)電路模塊，加上那個(gè)電路模塊，拼拼湊湊連起來(lái)就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)電壓域不一致的情況，所以模塊間的通訊就要使用電平轉(zhuǎn)換電路了。

電路圖如下：

僅由3個(gè)電阻加一個(gè)MOS管構(gòu)成，電路十分簡(jiǎn)單。

上圖中，SDA1/SCL1，SDA2/SCL2為I2C的兩個(gè)信號(hào)端，VDD1和VDD2為這兩個(gè)信號(hào)的高電平電壓。電路應(yīng)用限制條件為：

1，VDD1 ≤ VDD2；

2，SDA1/SCL1的低電平門限大于0.7V左右（視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定）；

3，Vgs ≤ VDD1；

4，Vds ≤ VDD2 。

對(duì)于3.3V和5V/12V等電路的相互轉(zhuǎn)換，NMOS管選擇AP2306或者SI2306即可。

電路分析如下：

1、沒有器件下拉總線線路。

3.3V部分的總線線路通過(guò)上拉電阻Rp上拉至3.3V。 NMOS管的柵極和源極都是3.3V， 所以它的Vgs 低于閥值電壓，NMOS管不導(dǎo)通。

這就允許5V部分的總線線路通過(guò)它的上拉電阻Rp上拉到5V。此時(shí)兩部分的總線線路都是高電平，只是電壓電平不同。

2 、一個(gè)3.3V 器件下拉總線線路到低電平。

NMOS管的源極也變成低電平，而柵極是3.3V，Vgs上升高于閥值，NMOS 管開始導(dǎo)通。然后5V部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的NMOS管被3.3V 器件下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

3、一個(gè)5V 的器件下拉總線線路到低電平。

NMOS管的漏極基底二極管導(dǎo)通，源極電壓為基底二極管導(dǎo)通0.7V，3.3V部分被下拉直到Vgs 超過(guò)閥值，NMOS管開始導(dǎo)通。

3.3V部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的NMOS管被5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

優(yōu)點(diǎn)：

1、適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換，價(jià)格低廉。

2、導(dǎo)通后，壓降比三極管小。

3、正反向雙向?qū)?，相?dāng)于機(jī)械開關(guān)。

4、電壓型驅(qū)動(dòng)，當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動(dòng)電流，而且有的應(yīng)用也許比三極管大。

實(shí)物對(duì)照?qǐng)D如下。實(shí)物的上拉電阻用了4.7K歐姆，可以提供更大的電流驅(qū)動(dòng)能力。在滿足電路性能的前提下，用阻值更大的電阻，因?yàn)楣母透‰姟?/span>

1、當(dāng)SDA1輸出高電平時(shí)：MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管關(guān)閉，SDA2被電阻R3上拉到5V。

2、當(dāng)SDA1輸出低電平時(shí)：MOS管Q1的Vgs = 3.3V，大于導(dǎo)通電壓，MOS管導(dǎo)通，SDA2通過(guò)MOS管被拉到低電平。

3、當(dāng)SDA2輸出高電平時(shí)：MOS管Q1的Vgs不變，MOS維持關(guān)閉狀態(tài)，SDA1被電阻R2上拉到3.3V。

4、當(dāng)SDA2輸出低電平時(shí)：MOS管不導(dǎo)通，但是它有體二極管！MOS管里的體二極管把SDA1拉低到低電平，此時(shí)Vgs約等于3.3V，MOS管導(dǎo)通，進(jìn)一步拉低了SDA1的電壓。

注：

低電平指等于或接近0V。

高電平指等于或接近電源電壓。所以3.3V電壓域的器件，其高電平為等于或接近3.3V；5V電壓域的器件，其高電平為等于或接近5V。

具體要求看芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)是怎么說(shuō)明這個(gè)限定范圍的，常見的比如說(shuō)0.3倍的“芯片供電電壓”以下為低電平，0.7倍的“芯片供電電壓”以上為高電平。

也就是說(shuō)“芯片供電電壓”為5V的時(shí)候，5 x 0.3 = 1.5V 以下為低電平，5 x 0.7 = 3.5V 以上為高電平。

注意事項(xiàng)：

以上是3.3V與5V之間的情況，如果換用其他電壓域之間的轉(zhuǎn)換，如3.3V、2.5V、1.8V等電壓值的兩兩之間，需要注意MOS管的Vgs開啟導(dǎo)通電壓。

給MOS管過(guò)高的Vgs會(huì)導(dǎo)致MOS管燒壞。給過(guò)低的Vgs會(huì)導(dǎo)致MOS管打不開。不同型號(hào)的MOS管這個(gè)參數(shù)值還不一樣。

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