場(chǎng)效應(yīng)管如何控制電流大小?-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-03-18
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET)。
由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
具有輸入電阻高噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID(漏極電流);
(2)場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(10~10Ω)很大。
(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
(5)場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);
(6)由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
MOS管是電壓控制器件,也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。
一般市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管,可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓,MOS管導(dǎo)通電壓一般在2-4V,不過(guò)要完全控制,這個(gè)值要上升到10V左右。
基本方法:
用一個(gè)控制電壓(比較器同相輸入端)和一個(gè)參考電壓(比較器反相輸入端),同時(shí)進(jìn)入電壓比較器(比較器電源接正12V和地,比如LM358當(dāng)比較器),比較器的輸出經(jīng)過(guò)5.1K電阻上拉后接G腳,如果控制電壓比參考電壓高,則控制MOS管導(dǎo)通輸出電流。
參考電壓可以來(lái)自于采樣電阻,也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地,這個(gè)電阻做電流采樣,當(dāng)電流流過(guò)電阻后會(huì)形成電壓,把它放大處理后做參考。
剛開(kāi)始的時(shí)候,電流很小,所以控制電壓比參考電壓高很多,這時(shí)候G腳基本上都加了12V,可以使管子迅速導(dǎo)通,在很短時(shí)間后,當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí),參考電壓迅速上升,與控制電壓接近并超過(guò)時(shí),比較器就輸出低電平(接近0V)使管子截止,電流減小。然后電流減少后,參考電壓又下去,管子又導(dǎo)通,電流又增大。然后周而復(fù)始。
如果用D/A輸出代替控制電壓,則可以獲得對(duì)MOS管的精確控制,我們以前實(shí)現(xiàn)過(guò)輸出范圍10-2000mA,步進(jìn)1mA,輸出電流精度正負(fù)1mA的水平。
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