場效應(yīng)管通斷原理-干貨圖解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-24
場效應(yīng)管通斷原理是：MOS管工作在恒流區(qū)和夾斷區(qū)，柵源極之間的電壓，控制漏源極之間的電流，當柵源之間電壓一定時，漏源之間電流一定。
了解場效應(yīng)管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
下面先了解場效應(yīng)管通斷原理，請看下圖：
NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高），下面以導通壓差6V為例。
NMOS管
使用NMOS當下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導通；若使用NMOS當上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。
當然NMOS也是可以當上管的，只是控制電路復雜，這種情況必須使用隔離電源控制，使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這么干，明顯增加電路難度。
PMOS管
使用PMOS當上管，S極直接接電源VCC，S極電壓固定，只需G極電壓比S極低6V即可導通，使用方便；
同理若使用PMOS當下管，D極接地，S極的電壓不固定（0V或VCC），無法確定控制極G極的電壓，使用較麻煩，需采用隔離電壓設(shè)計。
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