大功率場效應(yīng)管型號及場效應(yīng)管參數(shù)解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-13
| Prato Numbe | ID（A) | VDSS（V) | RDS（ON）Ω |
| KIA1N60H |
1 |
600 | 11.5 |
| KIA4N60H | 4 | 600 | 2.7 |
| KIA7N60H | 7 | 600 | 1.2 |
| KIA7N65H | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA840S | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.048 |
| KIA6N70S | 5.8 | 700 | 1.6 |
| KND4360A | 4 | 600 | 2.3 |
| KND4365A | 4 | 650 | 2.5 |
| KIA5N50H | 5 | 500 | 1.5 |
| KND4560A | 6 | 600 | 1.7 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA4750S | 9 | 500 | 0.9 |
| KIA5N60E | 4.5 | 600 | 2.5 |
| KIA730H | 6 | 400 | 1 |
| KIA7N80H | 7 | 800 | 1.9 |
|
KNP6140A |
10 | 400 | 0.5 |
| KIA10N65H10 | 10 | 650 | 0.75 |
| KIA12N60H | 12 | 600 | 0.65 |
| KIA12N65H | 12 | 650 | 0.75 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.48 |
| KIA18N50HF | 18 | 500 | 0.32 |
| KIA20N50H | 24 | 500 | 0.26 |
| KIA24N50H | 24 | 500 | 0.2 |
| KIA9N90S | 9 | 900 | 1.4 |
| KNP6650A | 15 | 500 | 0.45 |
| KIA40N20H | 40 | 200 | 0.1 |
| KIA6035A | 11 | 350 | 0.48 |
| KIA6110A | 15 | 100 | 0.11 |
| KNB1906B | 230 | 60 | 0.0035 |
| KIA7610A | 25 | 100 | 0.038 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KND830U | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA10N80H | 10 | 800 | 1.1等 |
1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管。
2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強型絕緣柵型場效應(yīng)管。
3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管。
4. 直流輸入電阻RGS
在場效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場效應(yīng)管大兩個數(shù)量級以上。結(jié)型場效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應(yīng)管的使用電壓。
6. 柵源擊穿電壓BVGS
對結(jié)型場效應(yīng)管來說，反向飽和電流開始劇增時的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應(yīng)管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。
1.跨導(dǎo)gm
在漏源電壓UDS一定時，漏極電流ID的微量變化和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)，即跨導(dǎo)是衡量場效應(yīng)管柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力的一個參數(shù)，也是衡量場效應(yīng)管放大作用的重要參數(shù)之一。
2. 漏源動態(tài)電阻rDS
在柵灑、電壓一定時， UDS的微小變化量與ID的變化量之比，稱為漏源動態(tài)內(nèi)阻rDS ,即rDS的取值范圍一般為數(shù)千歐至數(shù)百千歐。
①極間電容
場效應(yīng)管的三個電極間都存在著極間電容，即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF
②漏源最大電流IDM
它是指場效應(yīng)管漏源極的允許通過的最大電流
③場效應(yīng)管耗散功率PD
它是指場效應(yīng)管工作時所耗散的功率
④低頻噪聲系數(shù)NF
場效應(yīng)管的噪聲是由內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性引起的。它的存在會使一個放大器即使在沒有信號輸入時，在輸出端也會出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流的變化。場效應(yīng)管的低頻噪聲系數(shù)要比半導(dǎo)體三極管小。
KIA半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場效應(yīng)管廠家（國家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發(fā)為先導(dǎo)，了解客戶需求，運用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計方案和國際同步研發(fā)技術(shù)，結(jié)合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩(wěn)定性，高性價比，良好的服務(wù)，以及和客戶充分的技術(shù)，市場溝通的嚴謹態(tài)度，在移動數(shù)碼，LCE,HID,LED,電動車，開關(guān)電源，逆變器，節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認可。
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