MOS管KIA18N50H 500V18A?資料 原廠現貨 價格優(yōu)勢-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-21
KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計的。電壓、高速功率開關應用，如高效開關電源，功率因數校正。
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低柵電荷
快速切換能力
提高了dv/dt能力
工作方式：18A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:72A
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
輸入電容：2500pF
輸出電容：400pF
連續(xù)漏源電流：18A
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KIA半導體的產品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。
KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領先、品質上乘的科技產品。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
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