MOS管反向二極管作用詳細(xì)解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-09-10
MOS管電路圖中的反向二極管什么作用？
如圖所示，P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base，通過(guò)PN結(jié)（P-Base/N-Dift）流入Drain。
這個(gè)PN結(jié)就是MOSFET中的Body diode。其作用是導(dǎo)通電感負(fù)載傳導(dǎo)來(lái)的反向電流（ H-bridge，half bridge or many other bridges）。
值得注意的是，當(dāng)P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成（N+／P-Base／N-Drift），使MOSFET工作在可控的狀態(tài)。
Body diode的作用在很多情況下相當(dāng)于Freewheeling diode(反向二極管),具體的應(yīng)用限制則根據(jù)MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
下圖是二極管開關(guān)特性
p-channel MOSFET:
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