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【電子知識】電容嘯叫原因圖文分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-01-11 

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【電子知識】電容嘯叫原因圖文分享-KIA MOS管


減小電容的ESR及ESL,可以有效的減小電源上的紋波及噪音,此外電源模塊的小型化也是趨勢,所以片式多層陶瓷電容MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor)越來越多地被用于輸出電容。但是,使用MLCC電容會產(chǎn)生一個新的問題,它的結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致嘯叫。

圖1.嘯叫的MLCC電容


如圖2所示,陶瓷的強介電性會引起壓電效應(yīng),疊層電容在施加交流電之后,會在疊層方向(Z軸)發(fā)生伸縮。


因為介電體的泊松比(橫向變形系數(shù))一般為 0.3,所以與疊層方向(Z軸)垂直的方向(X與Y軸),即與電路板平行的方向也會發(fā)生伸縮,結(jié)果導(dǎo)致電路板表面產(chǎn)生振動并能夠聽到聲音。


雖然電容器以及電路板的振幅僅為 1pm~1nm,但振動聲音已足夠大到我們可以聽見,會聽到類似“嘰”的聲音。


術(shù)語解釋:泊松比是指材料在單向受拉或受壓時,橫向正應(yīng)變與軸向正應(yīng)變的絕對值的比值,也叫橫向變形系數(shù),它是反映材料橫向變形的彈性常數(shù)。


圖2.MLCC電容產(chǎn)生嘯叫的原因


所以,電容的嘯叫實際上是電容的壓電效應(yīng)導(dǎo)致了PCB的形變。因此,抑制電容嘯叫的主要措施是抑制或者抵消PCB的形變。


比如,可以將引起嘯叫的電容在同一面,以不同的角度擺放;或者將其在正反兩面,正對著擺放;還有,可以選擇帶支架的電容器,當(dāng)然這會增加成本,如圖3。


3.帶支架的MLCC電容


以上通過抑制PCB形變的方式來處理電容嘯叫的問題治標不治本,盡量得從源頭上處理掉引起嘯叫的原因。實際上,引起電容嘯叫的原因很單純,必定是電容上被加載了人耳可以聽到的交流電(頻率為20HZ~20KHZ)。


所以,基本的分析思路如下:

首先,用耳朵大致搜尋電容正在嘯叫的那一片區(qū)域;然后,使用示波器排查可疑的電壓信號,如圖4羅列了一些曾經(jīng)引起電容嘯叫的電壓信號,供參考。


圖4. 曾經(jīng)引起電容嘯叫的電壓信號


通過總結(jié)相關(guān)案例,電容的嘯叫現(xiàn)象多數(shù)發(fā)生在輕載模式。據(jù)其原因,因為在輕載模式下芯片一般會進入高效模式。在高效模式,系統(tǒng)處于半開環(huán)模式,芯片監(jiān)控反饋電壓但是不采取實時響應(yīng),只有當(dāng)輸出電壓低于閾值時,才會發(fā)送幾個PWM脈沖,往電感和輸出電容里充一點點的電。圖5是輕載模式下的開關(guān)節(jié)點V_PHASE信號。


圖5.輕載模式下的開關(guān)節(jié)點信號


在輕載模式下,輸出電壓的紋波電壓會比較大,同時流過電容的交流電的頻率也比較離散,所以容易發(fā)生嘯叫事件。


輕載模式的本意是好的,為了降低系統(tǒng)的靜態(tài)電流。當(dāng)系統(tǒng)處在Deep sleep模式,一般只有少數(shù)幾路常電在以極低的負載電流(如一兩百微安)在工作,所以這一點能量一般不足以引起電容的嘯叫。


但是,如果輕載模式(Sleep Mode)與Normal PWM模式(Normal Operation Mode)切換的閾值沒有被恰當(dāng)?shù)卦O(shè)置的話,系統(tǒng)可能會在負載電流比較小的時候仍然停留在輕載模式而無法切入Normal PWM模式,這樣的后果是離散的開關(guān)脈沖也許會引起電容的嘯叫。


關(guān)于輕載模式和強制PWM模式的設(shè)置的一般建議如下:

1、一級電源并且是常電模式,建議軟件參與控制。在系統(tǒng)進入休眠之前,由軟件設(shè)置芯片進入輕載模式;當(dāng)系統(tǒng)從休眠模式被喚醒,軟件需要及時地將電源設(shè)置為強制PWM模式。


2、如果是二級電源并且對輕載效率的要求不是特別嚴苛?xí)r,盡量全程設(shè)置為強制PWM模式。


有一些電路特別是低成本的簡易電路,軟件沒有辦法設(shè)置PWM模式,不幸又發(fā)生了電容嘯叫事件,可以嘗試以下幾種方法:


1、更換電容的數(shù)值,甚至嘗試不同廠家或者不同型號的電容;


2、安裝假負載(小阻值的電阻作為假負載),這是沒辦法時的辦法;


3、“多余”的電容也會引起環(huán)路不穩(wěn)定,導(dǎo)致嘯叫,可嘗試移除一些“可有可無”的電容;


4、過大的輸出電容會導(dǎo)致相位裕量過大,這會延緩進入PWM模式的時機,嘗試適當(dāng)減小相位裕量。



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