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?集成電路設(shè)計:MOS器件物理模型-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-03-31 

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集成電路設(shè)計:MOS器件物理模型-KIA MOS管


MOS器件是模擬集成電路設(shè)計的基礎(chǔ),簡單列舉一下基本知識點:

1、基本器件模型

以下模型是針對長溝器件


MOS器件 模型

圖 1 MOS 器件結(jié)構(gòu)


通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個四端口網(wǎng)絡(luò),這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。


通常NMOS器件襯底接地(或最低電平),相對應(yīng)PMOS器件襯底接電源(或最高電平)。襯底電壓不同會影響溝道電流。


MOS器件 模型

圖 2 襯底的連接


2、I-V特性

MOS器件 模型


μn為電子遷移率, L為有效溝道長度,VTH為閾值電壓,

Cox為單位面積的柵化層電容。

式子(1) 普遍使用,但一般用于計算三極管區(qū)(線性)

式子(2)條件為VDS = VGS- VH

當(dāng)VDS > VGS- VTH時,器件工作在飽和區(qū)。同時會在溝道形成耗盡區(qū), L- > L'< L。


MOS器件 模型


若L'近似等于L,那么ID與VDS無關(guān),呈“平方律”特性,此時并沒有考慮二次效應(yīng)的影響。


特殊:當(dāng)VDS<< VGS- VTH 時,工作在深三極管區(qū)。此時可用做線性電阻。


MOS器件 模型


3、跨導(dǎo)

定義:漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量

飽和區(qū):

MOS器件 模型


跨導(dǎo)與VGS成正比,與漏極電流的根號成比例

三級管區(qū):

MOS器件 模型


如果器件進入三極管區(qū),跨導(dǎo)將下降。因此,放大應(yīng)用時,我們通常使MOSFETI作于飽和區(qū)。


4、二級效應(yīng)

體效應(yīng)/背柵效應(yīng):

此種情況就是提到的襯底電勢問題,源襯電勢差變化會引起閾值電壓變化的效應(yīng)稱為體效應(yīng):

MOS器件 模型

為體效應(yīng)系數(shù)。閾值電壓的改變在電路中起著很重要的作用。


溝道長度調(diào)制:

柵漏電壓差增大時,實際反型溝道長度逐漸減小。實際的L'為漏源電壓的函數(shù)。則修正公式(λ為溝道長度調(diào)制系數(shù),溝道越長,其值越小):


MOS器件 模型


溝道長度調(diào)制是在設(shè)計過程中是不可忽視的問題,尤其是短溝道器件中,除了考慮溝道長度還得考慮載流子遷移率的速度飽和的問題。


亞閾值導(dǎo)電性:

實際上VGS≤VTH時,實際器件并非完全關(guān)斷,一個“弱”反型層仍然存在,并有源漏電流,其關(guān)系類似二極管是個指數(shù)關(guān)系:


MOS器件 模型


亞閾值導(dǎo)電性是晶體管的一個重要工作狀態(tài),這表明不能只以簡單的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)來描述晶體管的工作。同時“弱”反型也提供了另一種電路設(shè)計的思路,在大多數(shù)電路中也是經(jīng)常用到這一特性。


速度飽和

載流子遷移率也依賴于溝道區(qū)的橫向電場。當(dāng)電場達到1 V/um時,遷移率開始下降。由于載流子速度v=uE,當(dāng)電場足夠強時,u會達到一個飽和值,約為l0^7 cm/S。


載流子在整個溝道都達到速度飽和時,漏極電流為:

ID=VSat*WCox(VGS-VTH),此時漏極電流與過驅(qū)電壓(VGS-VTH)成線性關(guān)系。


MOS器件模型有很多種,精度和復(fù)雜度各不相同:

1)Level1 模式就是一般教科書里的MOS模型,簡單便于手工計算推導(dǎo),只適合長溝器件且精度要求不高時。


2)當(dāng)溝道長度小于4um時。Level1模型就表現(xiàn)出其缺陷,Level2模型就是為了表征更多的高階效應(yīng)而建立的。


3)Level3模型對Level2模型的解析表達式進行了簡化,并引入了很多經(jīng)驗常數(shù),提高了對溝道長度小于1um的器件的模擬精度。


4)BSIM/BSIM2/BSIM3模型:Leve1 - 3模型的特點是通過一些方程式描述器件特性,而這些方程是直接從器件物理導(dǎo)出的。然而,當(dāng)器件尺寸進入亞微米后,物理意義明確、模型準確、運算效率高的解析式的建立變得困難。BSIM采用一種與其不同的方法:加人大量的經(jīng)驗參數(shù)來簡化這些方程,其不足之處是與器件工作原理失去了聯(lián)系。


5)此外還有其他各種模型。



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