常用的MOSFET柵極電路及作用圖文分享-KIA MOS管

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，這篇文章將常見的柵極電路整理出來供大家參考。

MOSFET柵極電路常見的作用有以下幾點：

1、去除電路耦合進去的噪音，提高系統(tǒng)的可靠性。

2、加速MOSFET的導通，降低導通損耗。

3、加速MOSFET的關(guān)斷，降低關(guān)斷損耗。

4、降低MOSFET DI/DT，保護MOSFET同時抑制EMI干擾。

5、保護柵極，防止異常高壓條件下柵極擊穿。

6、增加驅(qū)動能力，在較小的信號下，可以驅(qū)動MOSFET。

首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的。

1、直接驅(qū)動

MOSFET柵極電路

當然另一個問題我們得考慮，那就是PWM CONTROLLER的驅(qū)動能力，當MOSFET較大時，IC驅(qū)動能力較小時，會出現(xiàn)驅(qū)動過慢，開關(guān)損耗過大甚至不能驅(qū)動的問題，這點我們在設計時需要注意。

2、IC內(nèi)部驅(qū)動能力不足時

當然，對于IC內(nèi)部驅(qū)動能力不足的問題我們也可以采用下面的方法來解決。

MOSFET柵極電路

這種增加驅(qū)動能力的方式不僅增加了導通時間，還可以加速關(guān)斷時間，同時對控制毛刺及功率損耗由一定的效果。當然這個我們在LAYOUT時要盡量將這兩個管子放的離MOSFET柵極較近的位置。這樣做的好處還有減少了寄生電感，提高了電路的抗干擾性。

3、增加MOSFET的關(guān)斷速度

如果我們單單要增加MOSFET的關(guān)斷速度，那么我們可以采用下面的方式來進行。

MOSFET柵極電路

關(guān)斷電流比較大時，能使MOSFET輸入電容放電速度更快，從而降低關(guān)斷損耗。大的放電電流可以通過選擇低輸出阻抗的MOSFET或N溝道的負的截止的電壓器件來實現(xiàn)，最常用的就是加加速二極管。

柵極關(guān)斷時，電流在電阻上產(chǎn)生的壓降大于二極管導通壓降時，這時二極管會導通，從而將電阻進行旁路，導通后，隨著電流的減小，二極管在電路中的作用越來越小，該電路作用會顯著的減小MOSFET關(guān)斷的延遲時間。

當然這個電路有一定的缺點，那就是柵極的電流仍然需要留過IC內(nèi)部的輸出驅(qū)動阻抗，這有什么辦法解決呢？

下面來講講PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路：

4、PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路

再來談以下PNP加速關(guān)斷電路

MOSFET柵極電路

PNP加速關(guān)斷電路是目前應用最多的電路，在加速三級管的作用下可以實現(xiàn)瞬間的柵源短路，從而達到最短的放電時間，之所以加二極管一方面是保護三級管基極，另一方面是為導通電流提供回路及偏置，該電路的優(yōu)點為可以近似達到推拉的效果加速效果明顯，缺點為柵極由于經(jīng)過兩個PN節(jié)，不能是柵極真正的達到0伏。

5、當源極輸出為高電壓時的驅(qū)動

當源極輸出為高電壓的情況時，我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的，既我們以源極為參考點，搭建偏置電路，驅(qū)動電壓在兩個電壓之間波動，驅(qū)動電壓偏差由低電壓提供，如下圖所示。

MOSFET柵極電路