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NMOS管 18A60V KIA6706A參數(shù)資料 原廠現(xiàn)貨直銷-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-04-20 

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NMOS管 18A60V KIA6706A參數(shù)資料 原廠現(xiàn)貨直銷-KIA MOS管


NMOS管 18A60V KIA6706A

KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET,可提供出色的RDSON;大多數(shù)同步buck變換器應用的門極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。


NMOS管 18A60V KIA6706A特征

RDS(on)=7.5mΩ(typ)@VGS=10V

超低門電荷

綠色設備可用

Cdv/dt效應下降

先進的高密度溝槽技術(shù)


NMOS管 18A60V KIA6706A封裝圖


NMOS管 18A60V KIA6706A


NMOS管 18A60V KIA6706A參數(shù)詳情


產(chǎn)品型號:KIA6706A

工作方式:18A/60V

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20A

漏電流連續(xù):18A

脈沖漏極電流:75A

雪崩電流:40A

雪崩能量:80mJ

耗散功率:2.7W

熱電阻:45℃/V

漏源擊穿電壓:60V

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:3307PF

輸出電容:201PF

上升時間:41.2ns

封裝形式:SOP-8

NMOS管 18A60V KIA6706A



KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。


NMOS管 18A60V KIA6706A



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