永久免费不卡在线观看黄网站,人妻内射一区二区在线视频,日本三级欧美三级人妇视频,色135综合网

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

【MOSFET測試】什么是雙脈沖測試?-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-05-26 

分享到:

【MOSFET測試】什么是雙脈沖測試?-KIA MOS管


通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性,并確認(rèn)MOSFET損耗情況。


MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系

在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善(PFC)電路等具有2個(gè)以上MOSFET的橋式電路中,由于流過上下橋臂的電流會使導(dǎo)通損耗增加。


該現(xiàn)象受開關(guān)MOSFET和對應(yīng)橋臂MOSFET的體二極管(寄生二極管)的反向恢復(fù)特性影響很大。因此,在橋式電路中,體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異的MOSFET優(yōu)勢明顯。


什么是雙脈沖測試?

雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關(guān)特性,還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)二極管(FRD)等的反向恢復(fù)特性。


因此,對導(dǎo)通時(shí)發(fā)生反向恢復(fù)特性引起損耗的電路的評估非常有效。雙脈沖測試的基本電路圖如下所示。


MOSFET 雙脈沖測試


另外,當(dāng)該電路的Q1是續(xù)流用MOSFET、Q2是驅(qū)動用MOSFET時(shí),雙脈沖測試的基本工作如下表所示。基本工作主要可以分為①、②、③這三種。


當(dāng)定義脈沖發(fā)生器的電壓為VPulse、流過電感的電流為IL、Q2的漏源電壓為VDS_L、Q2的漏極電流為ID_L時(shí),各模式的工作、電流路徑和波形如表所示。


MOSFET 雙脈沖測試


在工作③中,在Q2導(dǎo)通時(shí)可以觀測到短路電流(ID_L紅色部分)。這是由Q1體二極管的反向恢復(fù)特性引發(fā)的。


當(dāng)體二極管從ON轉(zhuǎn)換為OFF時(shí),必須將ON時(shí)所蓄積的電荷進(jìn)行放電。此時(shí),設(shè)從體二極管釋放出的電荷量為Qrr,釋放電荷所產(chǎn)生的電流峰值為Irr,Q2的功率損耗為Pd_L,則Q2的導(dǎo)通動作可以如右圖所示。


ID_L的三角形面積為Qrr、三角形的高為Irr。

MOSFET 雙脈沖測試


一般情況下,當(dāng)續(xù)流側(cè)元件Q1的體二極管反向恢復(fù)特性較差、Qrr也較大時(shí),驅(qū)動側(cè)元件Q2的導(dǎo)通損耗會增加。因此,在像逆變器電路這樣的流過再生電流的應(yīng)用和Totem Pole型PFC電路中,需要考慮到體二極管的反向恢復(fù)特性對損耗有較大的影響。



聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。


五家渠市| 栾城县| 上林县| 吉木萨尔县| 从江县| 红桥区| 长葛市| 南和县| 江城| 盐池县| 武胜县| 朔州市| 合江县| 夏邑县| 洞口县| 五河县| 黔江区| SHOW| 象山县| 咸宁市| 天全县| 饶阳县| 宁强县| 颍上县| 云龙县| 洪江市| 临沂市| 巴里| 水富县| 建宁县| 墨脱县| 木兰县| 德安县| 陆良县| 庆阳市| 阳山县| 稻城县| 仙居县| 台南县| 大荔县| 辉县市|