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【電路分析】MOSFET的門(mén)源極并聯(lián)電容-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-05-30 

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【電路分析】MOSFET的門(mén)源極并聯(lián)電容-KIA MOS管


MOSFET門(mén)源極并聯(lián)電容后,開(kāi)關(guān)可靠性得到提升

開(kāi)關(guān)電路如下圖:

MOSFET 并聯(lián) 電容


電路解釋

1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān),當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí),開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通;


2.電路中D3作用為鉗位Q1門(mén)源電壓在12V左右,以保護(hù)Q1;


3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時(shí)間,如下圖:分別為添加電容和不添加電容Q1門(mén)極電壓變化情況。


MOSFET 并聯(lián) 電容


MOSFET 并聯(lián) 電容


MOSFET 并聯(lián) 電容


MOSFET 并聯(lián) 電容


結(jié)論:通過(guò)在開(kāi)關(guān)g s 并聯(lián)電容,可以有效提升開(kāi)關(guān)mosfet抗干擾能力,尤其在mosfet需要通過(guò)外部按鍵使能的應(yīng)用,另外并聯(lián)的電容可以有效濾除由于控制抖動(dòng)導(dǎo)致的電源開(kāi)關(guān)關(guān)斷。



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