【圖文分享】MOS管參數(shù)μCox計算方法-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-06-08
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID（不考慮非理想效應)
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設置好NMOS溝道長度和寬度，還有將對應器件電壓也設置成變量，設成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
需要關注的參數(shù)是beff和betaeff，其中beff就是平方率關系對應的理想?yún)?shù)（完全不考慮溝道調制效應等，是可以計算過后發(fā)現(xiàn)，用得到的閾值電壓還有Id算出來完全符合平方率關系對應的理想值），betaeff是修正的跨導模型參數(shù)，畢竟現(xiàn)在模型不是以前的那種簡單模型了。
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
