用PMOS實(shí)現(xiàn)LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的通斷控制-KIA MOS管

電路原理：

1、QX7135E33為330mA線性LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片，無(wú)使能端。

2、利用PMOS控制QX7135的電源通斷，實(shí)現(xiàn)使能功能。

原理說(shuō)明：

1、控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻時(shí)，三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平，Q2不導(dǎo)通，進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不導(dǎo)通，+5V_OUT 無(wú)輸出。

電阻R4是為了在 Control 為高阻時(shí)，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。

帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路

2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時(shí)，要求控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開(kāi)向后級(jí)電路輸出。

此時(shí)等效電路圖如下。

此時(shí)電源 +5V_IN 剛上電，使MOS管G極與S極等電勢(shì)，即Vgs = 0，令Q1關(guān)閉。

3、電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。

4、此時(shí)將 Control 設(shè)為高電平（假設(shè)高電平為3.3V），則：

①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：

（3.3V - 0.7V） / 基極電阻R3 = 0.26mA

②三級(jí)管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過(guò)電阻R2充電，即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。

③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開(kāi)直至完全打開(kāi)。最終Vgs = -5V。

④利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(kāi)（導(dǎo)通），實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)啟的功能。

MOS管打開(kāi)時(shí)的電流流向如下圖所示：

5、電源打開(kāi)后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過(guò)電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。

軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過(guò)慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過(guò)程如下圖。

一般情況下還是放心使用軟啟動(dòng)功能，伴隨而來(lái)的軟關(guān)閉效果一般沒(méi)什么影響。

電路參數(shù)設(shè)定說(shuō)明：

調(diào)整C1、R2的值，可以修改軟啟動(dòng)的時(shí)間。值增大，則時(shí)間變長(zhǎng)。反之亦然。

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