驅動芯片和MOS管搭建大電流H橋電機驅動電路-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-07-07
用半橋/全橋驅動芯片和MOS管搭建合適的H橋電機驅動電路實現對大電流電機的驅動控制。該電機驅動板有兩個H橋電路,可以同時控制雙路電機??赏ㄟ^相應的控制信號來控制電機的轉速和正反轉。
PCB 3D圖
搭建H橋驅動電路一般都包括兩個部分:半橋/全橋驅動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅動所能通過的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。因此,選擇適當的MOS管,即可設計出驅動大電流電機的H橋驅動電路。
NMOS管
在選擇MOS管搭建H橋時,主要需注意以下一些參數:
1.漏極電流(Id):該電流即限制了所能接入電機的最大電流(一般要選擇大于電機堵轉時的電流,否則可能在電機堵轉時燒毀MOS管)。
2.柵源閾值電壓/開啟電壓(Vth):該電壓即MOS管打開所需的最小電壓,也將決定后續(xù)半橋驅動芯片的選擇和設計(即芯片柵極控制腳的輸出電壓)。
3.漏源導通電阻(Rds):該電阻是MOS管導通時,漏極和源極之間的損耗內阻,將會決定電機轉動時,MOS管上的發(fā)熱量,因此一般越小越好。
4.最大漏源電壓(Vds):該電壓是MOS管漏源之間所能承受的最大電壓,必須大于加在H橋上的電機驅動電壓。
半橋驅動芯片
在H橋驅動電路中,一共需要4個MOS管。而這四個MOS管的導通與截止則需要專門的芯片來進行控制,即要半橋/全橋驅動芯片。
所謂半橋驅動芯片,便是一塊驅動芯片只能用于控制H橋一側的2個MOS管(1個高端MOS和1個低端MOS)。因此采用半橋驅動芯片時,需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。
相應的,全橋驅動芯片便是可以直接控制4個MOS管的導通與截止,一塊該芯片便能完成一個完整H橋的控制。
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