解析CMOS器件特性與電源電壓、溫度和特征等 KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2017-08-14
CMOS器件的電學特性
MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同，其結(jié)果在特性方面有時簡直沒有變化。例如，輸入輸出電壓特性受溫度的影響很小，而且即便電源電壓變化，低電平／高電平輸入電壓與電源電壓之比（例如，VIH＝0.7XVDD，VIL＝0.3VDD）不怎樣變化。這是它的特性。動態(tài)工作時耗費電流（FIN-IDD)的特性主要受等效內(nèi)部電容(CPD)支配，也不怎樣受電源電壓和溫度的影響。
關(guān)于CMOS器件特性與電源電壓、溫度的依賴關(guān)系，表13.1和表13.2分別列出DC特性和AC特性。思索到器件的電學特性隨環(huán)境溫度的變化，在電子設(shè)備的電路設(shè)計中，必需留有足夠的設(shè)計余量。
以CMOS規(guī)范邏輯中的門IC(2輸入ANAND門(TC74VHCOOF））例，圖13.1、圖13.2分別示出它們典型的DC特性和AC特性。在與電源電壓關(guān)系親密的耐壓、漏電流有關(guān)特性、傳輸延遲時間特性等方面，用Log標度表示。
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