CMOS噪聲余量是由輸出振幅的最小值與輸入信號最小必要的振幅之差來做定義
信息來源：本站 日期：2017-08-29
噪聲余量
大數(shù)IC的噪聲余量由輸出振幅的最小值與輸入信號最小必要的振幅之差來定義。這個差值越大，關(guān)于由電源/GND線或由信號線產(chǎn)生的突發(fā)噪聲來說，越不容易惹起誤動作。
作為規(guī)范邏輯IC，與目前運用較多的雙極型TTL相比擬，CMOS具有更寬的噪聲余量。圖10.13示出CMOS反相器與TTL的輸入-輸出傳輸特性。CMOS特性的降落肩特性峻峭，電路閾值電壓大致位于VDD的1/2處。輸出振幅能夠在整個VDD～GND的范圍擺動。由于CMOS可以在整個VDD～GND范圍取輸出，就可以以小的輸入振幅工作。能夠看出，與TTL相比，CMOS的噪聲余量優(yōu)勢很大。
圖10. 14示出CMOS與TTL的噪聲余量的比擬。由于CMOS的抗噪聲才能強，所以在高質(zhì)量信號傳輸、高牢靠性系統(tǒng)等范疇應用很普遍。
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