10n60場效應管參數(shù)管腳 10N60場效應管代換-KIA MOS管

600V 10n60場效應管-特點

KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋到拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。在社會的飛速發(fā)展中，便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應用，具有更耐沖擊、同等參數(shù)雪崩更高的特性，提高效率的同時給產(chǎn)品應用也提供更穩(wěn)定的保障。

1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

2、低柵電荷（典型的44nc)

3、快速切換能力

4、雪崩能量指定值

5、增強的dv/dt能力

600V 10n60場效應管-主要參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA10N60H

工作方式：9.5A/600V

漏源極電壓:600V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):9.5A/5.7A

峰值二極管恢復:4.5V/ns

結溫:+150℃

貯存溫度:-55℃至150℃

600V 10n60場效應管-標準封裝

600V 10n60場效應管

600V 10n60場效應管-電路圖

600V 10n60場效應管

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

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