12N60參數(shù)代換 12N60場效應管 12N60引腳圖TO-220-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-02
KIA12N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。12N60是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。
RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V
柵極電荷低(典型為52nC)
快速交換能力
指定的雪崩能量
改進的DV/DT功能
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：12A
脈沖漏極電流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：231W
熱電阻：62.5℃/V
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850PF
輸出電容：180PF
上升時間：90ns
封裝形式：TO-220、220F
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
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