2408A場效應(yīng)管 190a 80v ?參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-09-14
MOS管KNX2408A:漏源擊穿電壓80V,漏極電流最大值為190A;RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的RDS(ON),低柵極電荷,高效穩(wěn)定。廣泛應(yīng)用于無刷電機(jī)、不間斷電源等產(chǎn)品。封裝形式:TO-220、TO-263、TO-247。
VDS=80V,ID=190A,RDS(開啟)(典型值)=3.7mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度電池設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
穩(wěn)定性和均勻性好,EAS高
出色的封裝,散熱良好
電源切換應(yīng)用
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
KIA半導(dǎo)體MOSFET場效應(yīng)管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。來電咨詢,免費(fèi)送樣!
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